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K1307

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO-220F
供应商型号: K1307 TO-220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1307

K1307概述

    K1307-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K1307-VB 是一款N沟道100V(漏极-源极)MOSFET,采用TO-220 Fullpak封装。它具有高电压隔离、低热阻、动态dv/dt额定值及无铅选项等特点。适用于广泛的工业和消费电子产品,如电源管理、电机控制和汽车电子等。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏极-源极电压 \( V{DS} \): 100V
    - 源极-栅极阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0 - 3.0V
    - 漏极-源极体二极管连续电流 \( IS \): 17A
    - 漏极-源极体二极管最大瞬态恢复时间 \( t{rr} \): 180 - 360ns
    - 漏极-源极体二极管反向恢复电荷 \( Q{rr} \): 1.3 - 2.6μC
    - 电流参数
    - 持续漏极电流 \( ID \):
    - TC = 25°C时:18A
    - TC = 100°C时:12A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 68A
    - 重复脉冲雪崩电流 \( I{AR} \): 17A
    - 重复脉冲雪崩能量 \( E{AR} \): 4.8mJ
    - 其他参数
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \): 25μA(\( V{DS} \) = 80V)
    - 前向跨导 \( g{fs} \): 9.1S
    - 总栅电荷 \( Qg \): 72nC
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1700pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 560pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 120pF
    - 内部漏感 \( LD \): 4.5nH
    - 内部源感 \( LS \): 7.5nH
    - 环境参数
    - 最大结温 \( T{J(max)} \): 175°C
    - 工作温度范围 \( T{J, T{stg}} \): -55°C至+175°C

    产品特点和优势


    1. 高电压隔离: K1307-VB 具有高达2.5kVRMS的隔离电压,确保了在高电压应用中的安全性。
    2. 低热阻: 具有较低的热阻,可有效散热,保证长期稳定运行。
    3. 动态dv/dt额定值: 可处理高动态变化的电压,适合快速开关的应用场合。
    4. 低漏电: 漏电极小,减少了不必要的损耗,提高了整体效率。
    5. 无铅选项: 符合RoHS标准,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源管理:如开关电源转换器、DC-DC转换器等。
    - 电机控制:用于工业自动化系统中的电机驱动器。
    - 汽车电子:如车载充电器、电池管理系统等。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,要充分考虑MOSFET的工作温度范围,避免长时间超过最高温度运行。
    - 使用高效的散热片和良好的散热设计,可以进一步提升器件的可靠性。
    - 配套使用低漏感的PCB设计,可以减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性: K1307-VB 支持多种封装形式,如TO-220 Fullpak,与大多数现有的电源管理和电机控制模块兼容。
    - 支持: 提供详细的技术手册和技术支持,帮助客户快速上手和解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关频率过高导致过热
    - 解决方案: 增加散热设计,适当降低开关频率。

    - 问题2: 瞬态电压过载
    - 解决方案: 使用瞬态电压抑制器(TVS)进行保护。
    - 问题3: 系统稳定性差
    - 解决方案: 确保接地良好,减少噪声和干扰。

    总结和推荐


    K1307-VB 是一款高性能的N沟道100V MOSFET,具有出色的电压隔离能力、低热阻和高可靠性。其在电源管理和电机控制领域的广泛应用,使其成为市场的热门选择。我们强烈推荐这款产品给需要高效、稳定电子元件的工程师们。

K1307参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 86mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1307厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1307数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1307 K1307数据手册

K1307封装设计

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