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VBZE2N60

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,2A,RDS(ON),3560mΩ@10V,3695mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO-252
供应商型号: VBZE2N60 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE2N60

VBZE2N60概述

    Power MOSFET 产品技术手册

    1. 产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管) 是一种高效率、高速开关的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制、通信设备等领域。它通过控制电压来调节电流,能够在高频条件下提供优异的性能表现。

    2. 技术参数


    以下是Power MOSFET的主要技术参数:
    - VDS(漏源击穿电压): 600 V
    - RDS(on)(导通电阻): VGS = 10 V时为4.4 Ω
    - Qg(总栅极电荷): 最大值为18 nC
    - Qgs(栅源电荷): 3.0 nC
    - Qgd(栅漏电荷): 8.9 nC
    - 配置: 单个MOSFET
    - 绝对最大额定值:
    - VDS: 600 V
    - VGS: ± 20 V
    - ID: 在TC = 25 °C时为2.0 A,在TC = 100 °C时为1.3 A
    - IDM: 8.0 A
    - PD: 在TC = 25 °C时为42 W
    - 最大功率耗散:
    - 在TC = 25 °C时为42 W
    - 当安装在PCB上时为2.5 W
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境温度热阻抗(RthJA): 110 °C/W
    - 最大结到环境温度热阻抗(RthJA)(PCB安装): -50 °C/W
    - 最大结到外壳(漏极)热阻抗(RthJC): -3.0 °C/W
    - 封装类型:
    - TO-220AB
    - TO-252
    - TO-251
    - 工作温度范围:
    - 结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55 °C 到 +150 °C

    3. 产品特点和优势


    - 动态dv/dt耐量:可承受高瞬态电压。
    - 重复雪崩额定值:支持反复冲击操作。
    - 表面贴装:可提供直插式版本。
    - 快速开关:适合高频应用。
    - 易于并联:方便集成。
    - 符合RoHS指令:环保材料。
    - 符合无卤素标准:根据IEC 61249-2-21定义。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源管理:用于AC/DC转换器,如开关电源。
    - 电机控制:用于伺服驱动器和其他控制系统。
    - 通信设备:用于信号放大和开关电路。
    - 使用建议:
    - 确保正确的散热设计,以防止过热。
    - 避免在超压条件下工作,以延长使用寿命。
    - 注意正确安装,以确保良好的热接触。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 可与多种电源管理和电机控制板兼容。
    - 支持:
    - 提供详细的技术文档和支持。
    - 客户可联系技术支持团队解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关损耗过高
    - 解决办法: 检查是否安装正确,确保热阻抗合理,检查驱动电路。
    - 问题2: 寿命短
    - 解决办法: 确保工作温度在正常范围内,避免频繁超载。
    - 问题3: 开关速度慢
    - 解决办法: 检查驱动电路参数,优化寄生电感。

    7. 总结和推荐


    综上所述,这款Power MOSFET具有出色的性能和可靠性,适用于各种高性能应用场合。其动态dv/dt耐量、重复雪崩额定值、快速开关能力和环保特性使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在需要高效、高速开关的应用中使用。
    如有任何疑问或需要更多帮助,请随时联系我们:
    服务热线:400-655-8788

VBZE2N60参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 2A
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 3560mΩ@10V,3695mΩ@4.5V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE2N60厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE2N60数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE2N60 VBZE2N60数据手册

VBZE2N60封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.6525
100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
2500+ ¥ 1.4077
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