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IRFZ48VPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO-220AB
供应商型号: 14M-IRFZ48VPBF TO-220AB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFZ48VPBF

IRFZ48VPBF概述

    IRFZ48VPBF-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRFZ48VPBF-VB 是一款由VBsemi公司生产的N-Channel 60-V(D-S)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种类型的晶体管广泛应用于电力电子转换、电机驱动系统、电源管理和照明控制等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 管脚间隔
    | 栅极-源极电压 | VGS | ± 20 V |
    | 漏极连续电流 | ID 60 | 50 | A |
    | 节点温度 | TJ | -55 175 | °C |
    | 最大功率耗散 | PD 136 W |
    | 电源开关耐压 | VDS | 60 V |
    | 栅极-体泄漏电流 | IGSS | ± 100 nA |

    产品特点和优势


    IRFZ48VPBF-VB 采用了先进的TrenchFET®技术,能够承受高达175°C的结温,确保在高温环境中仍能稳定工作。其栅极-漏极电荷仅为4nC,使得它在开关过程中具有较高的速度,降低了开关损耗。此外,该MOSFET还具有优异的反向恢复时间,适用于需要快速切换的应用场合。

    应用案例和使用建议


    IRFZ48VPBF-VB 的高开关频率和低导通电阻使其成为许多电力电子应用的理想选择。例如,在电动机驱动系统中,可以提高系统的效率并减少发热。在使用时,应注意避免超过绝对最大额定值,尤其是在脉冲操作模式下,建议使用散热器以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    该产品适用于多种应用场景,但建议在使用前检查与其他设备或组件的兼容性。厂商提供了全面的技术支持和服务,包括使用指南和故障排查帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 开关频率过低 | 检查栅极驱动信号 |
    | 发热严重 | 使用散热器,确保良好的通风 |
    | 寿命较短 | 定期进行负载测试,确保不超负荷运行 |

    总结和推荐


    IRFZ48VPBF-VB凭借其出色的性能和广泛的适用性,在电力电子行业中表现出色。虽然有一些潜在的局限性,如需要注意脉冲电流的影响,但总体来说,这款MOSFET是一个值得推荐的产品。对于需要高可靠性和高性能的应用场合,IRFZ48VPBF-VB将是一个理想的选择。

IRFZ48VPBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 60A
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFZ48VPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFZ48VPBF数据手册

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IRFZ48VPBF封装设计

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