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BUK763R8-80E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,80V,210A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V);TO263
供应商型号: 14M--BUK763R8-80E TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) BUK763R8-80E

BUK763R8-80E概述

    BUK763R8-80E-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品名称: BUK763R8-80E-VB
    产品类型: N-Channel 80 V (D-S) MOSFET
    主要功能: 作为开关管使用,控制电流通过。
    应用领域:
    - 开关电源中的次级同步整流
    - DC/DC 转换器
    - 功率工具
    - 电机驱动开关
    - DC/AC 逆变器
    - 电池管理

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(最大值) | 80 | V |
    | 漏极连续电流(TJ = 150 °C)| 215 | A |
    | 漏极脉冲电流(t = 100 μs) | 600 | A |
    | 雪崩电流 | 70 | A |
    | 单雪崩能量(L = 0.1 mH) | 245 | mJ |
    | 最大功率耗散(TC = 25 °C)| 375 | W |
    | 最大功率耗散(TC = 125 °C)| 125 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | -55 到 +175 | °C |
    | 热阻(结到环境) | 40 | °C/W |
    | 热阻(结到外壳) | 0.4 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术: 这种技术提供了非常低的栅极电荷,从而减少了导通损耗。
    - 高温稳定性: 最大工作结温为175°C,适用于严苛的工业环境。
    - 非常低的 Qgd: 减少了通过 Vplateau 的功率损耗。
    - 100% Rg 和 UIS 测试: 确保了产品质量和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源转换: 在次级同步整流电路中,BUK763R8-80E-VB 可以有效减少损耗并提高效率。
    - 电机驱动: 由于其高耐压能力和低导通电阻,非常适合用于电机驱动开关,可以提供稳定的电流控制。
    - 电池管理: 由于其高效的开关性能和高耐温性,适用于需要长时间工作的电池管理系统。
    使用建议:
    - 热管理: 使用合适的散热片和PCB设计,确保在高电流工作条件下不会超过最大结温。
    - 电路布局: 注意布局的合理性,以避免高频噪声对电路的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与大多数标准电路板和控制器兼容。
    - 技术支持: 由 VBsemi 提供详尽的技术支持,包括在线帮助文档、样品和技术支持热线。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关速度慢,发热严重。
    - 解决办法: 检查驱动电路是否正确,确保驱动电压和电流满足要求。适当增加散热措施,如增加散热片或改进PCB散热设计。
    - 问题: 寿命短。
    - 解决办法: 定期检查和更换损坏部件,注意热管理,避免超负荷运行。

    7. 总结和推荐


    总结: BUK763R8-80E-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性。它适用于多种应用,特别是在需要高效能和稳定性的场合。
    推荐: 推荐在开关电源、电机驱动、电池管理等领域中使用 BUK763R8-80E-VB,以获得最佳性能和稳定性。

BUK763R8-80E参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

BUK763R8-80E厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

BUK763R8-80E数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 BUK763R8-80E BUK763R8-80E数据手册

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