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IRF8714TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-IRF8714TRPBF SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF8714TRPBF

IRF8714TRPBF概述

    IRF8714TRPBF-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF8714TRPBF-VB 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻和高效能。这种类型的 MOSFET 主要用于高边同步整流,特别是在笔记本电脑CPU核心电源管理中的高边开关。该产品适用于各种高性能应用,尤其在功率转换和电机控制方面表现出色。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):1A (TC = 25°C),3A (TC = 70°C)
    - 单脉冲雪崩电流 (IA):2.0A
    - 雪崩能量 (EAS):21mJ
    - 最大功耗 (PD):4.2W (TC = 25°C),2.5W (TC = 70°C)
    - 静态参数:
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.008Ω (VGS = 10V),0.011Ω (VGS = 4.5V)
    - 门极电荷 (Qg):6.1nC (VGS = 10V),11nC (VGS = 4.5V)
    - 转移电导 (gfs):50S (VDS = 15V,ID = 10A)
    - 输入电容 (Ciss):80pF (VDS = 15V,VGS = 0V)
    - 输出电容 (Coss):165pF (VDS = 15V,VGS = 0V)
    - 反向转移电容 (Crss):73pF (VDS = 15V,VGS = 10V,ID = 10A)
    - 动态参数:
    - 开启延迟时间 (td(on)):8ns (VGS = 10V),16ns (VGS = 4.5V)
    - 上升时间 (tr):10ns (VGS = 10V),12ns (VGS = 4.5V)
    - 关闭延迟时间 (td(off)):16ns (VGS = 10V),22ns (VGS = 4.5V)
    - 下降时间 (tf):8ns (VGS = 10V),10ns (VGS = 4.5V)
    - 工作环境:
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 无卤素设计:环保设计,符合RoHS标准。
    - TrenchFET® 技术:提高效率和热性能。
    - 优化的高边同步整流操作:适用于高性能应用。
    - 100% 测试:所有产品均经过栅极电阻和雪崩测试。

    应用案例和使用建议


    - 笔记本电脑CPU核心:用于高边开关的应用场景。通过选择合适的驱动电压,可以最大化其在笔记本电脑CPU电源管理系统中的效率和可靠性。
    - 电机控制和电源转换:在这些应用中,选择适当的驱动电路和散热措施是确保MOSFET正常工作的关键。
    - 使用建议:为确保最佳性能,请使用低感性电路板布局,并保持良好的散热条件。如果应用于高温环境,需注意MOSFET的工作温度限制。

    兼容性和支持


    - 封装:SO-8封装,便于表面贴装。
    - 支持:官方提供详尽的技术文档和客户服务支持,确保用户能够正确安装和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:导通电阻异常高
    - 解决方案:检查驱动电压是否符合要求,确保足够的栅极充电。
    - 问题:频繁出现过热现象
    - 解决方案:改进散热设计,例如使用更大的散热片或增强对流冷却。

    总结和推荐


    IRF8714TRPBF-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,具有出色的导通电阻和高效的电气特性。它适用于多种应用,如笔记本电脑CPU电源管理和电机控制。虽然存在一定的热管理需求,但其优良的性能使其成为许多工程师的理想选择。对于需要高效、可靠且具有成本效益的电源管理解决方案的项目,强烈推荐使用此产品。

IRF8714TRPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 ±20 @ N Channel,±25 @ P Channel
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 8.6A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 3.2A
栅极电荷 24nC@ 10V
最大功率耗散 900mW
FET类型 N+P沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF8714TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF8714TRPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF8714TRPBF IRF8714TRPBF数据手册

IRF8714TRPBF封装设计

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