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VBMB2102M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-18A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2~-4Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-VBMB2102M
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB2102M

VBMB2102M概述

    # VBMB2102M P-Channel 100V MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBMB2102M 是一款由VBsemi推出的P-Channel 100V(漏极-源极)MOSFET,属于TrenchFET® Power MOSFET系列。这款MOSFET广泛应用于各种电源开关和直流/交流转换器中。其独特的设计使得它在高温环境下依然保持良好的性能,特别适用于工业控制、电源管理等领域。

    技术参数


    以下是VBMB2102M的主要技术参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极电压 | - | -100 | - | V |
    | 门极-源极电压 | ±20 V |
    | 连续漏极电流 | - | -12 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | - | -36 | - | A |
    | 单次雪崩电流 | - | -18 | - | A |
    | 最大功率耗散 | 2.5 38.1 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | -55 150 | °C |
    具体到电特性参数如下:
    | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 静态
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS = 0 V, ID = -250 µA | - | -100 | - | V |
    | 门限电压 | VDS = VGS, ID = -250 µA | -1 | -2.5 | - | V |
    | 门体泄漏电流 | VDS = 0 V, VGS = ±20 V | ±250 nA |
    | 门限电压漏电 | VDS = -100 V, VGS = 0 V | - | -1 | - | V |
    | 源漏二极管反向恢复时间 | IF = -2.9 A, dI/dt = 100 A/µs | 50 75 | ns |

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 无卤素材料:符合IEC 61249-2-21标准。
    2. 高可靠性:100% Rg和UIS测试。
    3. 环保标准:符合RoHS指令2002/95/EC。
    市场竞争力
    - 低导通电阻:漏极-源极导通电阻RDS(on)仅为0.220 Ω(VGS=-10V),保证了低功耗。
    - 高工作温度范围:可在-55°C到150°C的极端环境中稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    1. 电源开关:如逆变器和转换器中的开关电路。
    2. 直流/交流转换器:适用于需要高效能转换的应用。
    使用建议
    1. 热管理:在高温环境下使用时,确保良好的散热系统,以避免因过热导致性能下降。
    2. 应用环境:根据应用需求选择合适的工作电压和电流,避免超过绝对最大额定值。
    3. 驱动电路设计:设计适当的驱动电路,确保在高频率下的可靠工作。

    兼容性和支持


    兼容性
    VBMB2102M与大多数常见的直流/交流转换器和其他电源管理模块具有良好的兼容性。在设计集成电路时,应考虑其特定的电气特性。
    支持和维护
    VBsemi提供全面的技术支持,包括设计指导、故障排除以及定制化的产品解决方案。客户可以通过400-655-8788服务热线获取更多技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:MOSFET在脉冲条件下工作是否会损坏?
    - 答:确保脉冲宽度不超过300 µs,占空比不超过2%,可以有效防止损坏。

    2. 问:如何处理MOSFET过热问题?
    - 答:建议安装散热片或采用其他有效的散热措施,避免长期处于高温环境中工作。

    3. 问:MOSFET长时间使用后性能会下降吗?
    - 答:在正常使用条件下,MOSFET的性能应该不会显著下降。但如果长期暴露在极限温度下,则可能影响其可靠性。

    总结和推荐


    综合评估
    VBMB2102M是一款高性能、高可靠性的P-Channel MOSFET,尤其适合需要高温环境稳定工作的应用场景。其出色的导通电阻、无卤素材料和高可靠性使其成为电源管理和工业控制领域的理想选择。
    推荐使用
    对于需要高效、稳定、可靠的电源转换和管理的设备,强烈推荐使用VBMB2102M。然而,在使用前,用户应仔细阅读技术手册并遵循相关的操作指南,确保安全使用。

VBMB2102M参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@10V,240mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 18A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -2V~-4V
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB2102M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB2102M数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB2102M VBMB2102M数据手册

VBMB2102M封装设计

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