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NVD2955T4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-NVD2955T4G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NVD2955T4G

NVD2955T4G概述

    NVD2955T4G-VB P-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVD2955T4G-VB 是一种P沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其基本结构是TO-252封装形式。这种器件主要用于负载开关等应用领域,具备高可靠性和高效的开关特性。其独特的TrenchFET®技术能够提供低导通电阻和快速开关速度,适合多种工业和消费电子产品应用。

    技术参数


    - 主要电气特性
    - RDS(on) (典型值): 0.061Ω (VGS=-10V, ID=-10A)
    - RDS(on) (最大值): 0.150Ω (VGS=-10V, ID=-5A, TJ=175°C)
    - 最大栅极电压: ±20V
    - 连续漏极电流 (TJ=175°C): -30A
    - 单脉冲雪崩能量: 7.2mJ
    - 最大功率耗散 (TA=25°C): 4W
    - 工作环境
    - 工作温度范围: -55°C 到 175°C
    - 存储温度范围: -55°C 到 175°C
    - 热阻:
    - 结到环境: 25°C时最大62°C/W
    - 结到外壳: 5°C/W

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻: NVD2955T4G-VB 的导通电阻非常低,在10A时典型值为0.061Ω,这使得它在电流驱动时的功耗非常小。
    2. 快速开关速度: 典型的开启延迟时间为6ns,上升时间为15ns,关闭延迟时间为16ns,这些特性使其适用于需要快速开关的应用。
    3. 坚固耐用: 所有产品经过100%UIS测试,确保在极端条件下也能稳定工作。
    4. 高效散热设计: 热阻值较低,有助于有效散热,提高器件的可靠性和寿命。

    应用案例和使用建议


    1. 负载开关: NVD2955T4G-VB 可以用于负载开关电路中,特别是在需要低损耗和高效率的地方。例如,电动汽车充电站的DC-DC转换器可以采用此器件来实现负载控制。
    2. 电源管理: 在电源管理系统中,该器件可以作为开关器件,帮助实现更高效的能源管理和转换。
    使用建议:
    - 在选择合适的驱动电路时,注意栅极驱动信号的幅度和频率,以确保器件能够在最佳状态下工作。
    - 考虑到器件的热阻值,合理布局散热片或采用强制风冷措施,以避免过热现象。

    兼容性和支持


    - 兼容性: NVD2955T4G-VB 与标准的TO-252封装完全兼容,因此可以直接替换现有电路板上的类似器件。
    - 支持: 厂商提供详细的规格书和技术支持,对于客户在使用过程中遇到的技术问题,可以通过服务热线400-655-8788寻求帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中出现过热现象。
    - 解决方法: 检查散热设计是否合理,增加散热片或采用主动冷却措施。
    2. 问题: 电路启动时出现瞬态冲击。
    - 解决方法: 使用适当的缓冲电路来吸收瞬态能量,保护MOSFET不被损坏。

    总结和推荐


    NVD2955T4G-VB 是一款高性能、可靠的P沟道功率MOSFET,具备低导通电阻和快速开关速度,适用于多种工业和消费电子产品应用。特别是其优异的热性能和坚固的制造工艺,使其成为高性能开关应用的理想选择。强烈推荐在需要低功耗和高效率的场合使用该器件。

NVD2955T4G参数

参数
Id-连续漏极电流 30A
配置 -
FET类型 2个P沟道
最大功率耗散 34W
Rds(On)-漏源导通电阻 0.150Ω@VGS = - 10 V,ID = - 5 A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 30nC@ 10V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1nF@ 25V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NVD2955T4G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NVD2955T4G数据手册

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NVD2955T4G封装设计

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