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IPD50N06S4L-12

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD50N06S4L-12 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD50N06S4L-12

IPD50N06S4L-12概述

    IPD50N06S4L-12-VB 电子元器件技术手册

    1. 产品简介


    IPD50N06S4L-12-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET)。该器件采用了先进的TrenchFET®技术,具有优异的热稳定性和耐高温能力,能够在高达175°C的结温条件下正常工作。适用于开关电源、电机驱动器、直流-直流转换器等多种电力电子设备中。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大栅极-源极电压 | ± 20 | V |
    | 持续漏极电流 (TC = 25°C) | 58 | A |
    | 持续漏极电流 (TC = 100°C) | 25 | A |
    | 短脉冲漏极电流 | 100 | A |
    | 源极连续电流 (二极管导通) | 50 | A |
    | 冲击电流 | 50 | A |
    | 单次冲击能量 (占空比 ≤ 1%) | 125 | mJ |
    | 最大功耗 (TC = 25°C) | 136 | W |
    | 结到环境的最大热阻 (t ≤ 10 s) | 15 - 18 | °C/W |
    | 结到外壳的最大热阻 | 0.85 - 1.1 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性: 可承受高达175°C的结温,满足极端环境下的使用要求。
    - 高性能: 低导通电阻 (RDS(on)) 在各种工作电压下表现出色。
    - 先进的工艺: 使用TrenchFET®技术,有效降低导通损耗,提高效率。
    - 广泛的应用: 适用于多种电力电子应用,如电源管理、电动车辆控制等领域。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:用于高频开关电源设计中,可以显著降低损耗,提高整体能效。
    - 电机驱动器:适用于驱动大功率电机,提供可靠的电流控制。
    - DC-DC转换器:在高效率转换中表现出色,适用于车载系统及便携式设备。
    使用建议:
    - 确保电路板设计符合规范,特别是在散热方面。
    - 注意选择合适的驱动电路以避免过压和过流现象。

    5. 兼容性和支持


    该器件与大多数标准接口兼容,且厂商提供了详细的技术文档和支持服务,以帮助客户进行应用设计和故障排查。客户可以通过电话(400-655-8788)联系制造商获取技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热保护失效 | 确保良好的散热设计 |
    | 驱动电压不正确 | 仔细检查驱动电路配置 |
    | 开关损耗高 | 优化电路布局和元器件选型 |

    7. 总结和推荐


    IPD50N06S4L-12-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适用于各种高压和高温环境下的电力电子应用。其优异的热性能和高效的导通特性使其成为众多电力设备的理想选择。综合考虑其各项性能指标及应用案例,强烈推荐此产品给需要高性能电力管理解决方案的客户。

IPD50N06S4L-12参数

参数
最大功率耗散 136W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 11nC@ 10V
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.65nF@25V
Id-连续漏极电流 58A
Rds(On)-漏源导通电阻 0.020Ω@VGS = 10 V,ID = 20 A,TJ = 175 °C
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD50N06S4L-12厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD50N06S4L-12数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD50N06S4L-12 IPD50N06S4L-12数据手册

IPD50N06S4L-12封装设计

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