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UK3018G-AE2-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-UK3018G-AE2-R SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UK3018G-AE2-R

UK3018G-AE2-R概述

    UK3018G-AE2-R-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册综述

    1. 产品简介


    UK3018G-AE2-R-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该产品以其低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度而闻名,适用于多种应用场合,如逻辑接口、驱动电路、电池供电系统及固态继电器等。

    2. 技术参数


    以下是根据技术手册提取的主要技术参数:
    | 参数 | 测试条件 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VGS=0V, ID=10μA | 60 V |
    | 栅阈值电压 | VDS=VGS, ID=250μA | 1 | 2.5 V |
    | 栅体漏电流 | VDS=0V, VGS=±20V | ±10 μA |
    | 开启状态漏源电流 | VGS=10V, VDS=7.5V 500 mA |
    | 导通电阻 | VGS=10V, ID=200mA 2.8 Ω |
    | 前向传输电导 | VDS=10V, ID=100mA 100 mS |
    | 输入电容 | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz 25 pF |
    | 输出电容 5 pF |
    | 反向转移电容 2.0 pF |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅阈值电压:2V(典型值),使得器件容易被低电压驱动。
    - 低输入电容:25pF,降低电路响应时间,适合高频应用。
    - 快速开关速度:25ns,适合高速信号处理。
    - 低输入和输出泄露:提高稳定性,减少功耗。
    - 环保合规:符合RoHS指令2002/95/EC,无卤素。
    - 高可靠性:兼容TrenchFET技术,提供良好的温度稳定性和耐用性。

    4. 应用案例和使用建议


    UK3018G-AE2-R-VB MOSFET广泛应用于直接逻辑电平接口、驱动器(例如继电器、电磁阀、灯泡、电锤、显示屏、存储器、晶体管等)、电池操作的系统和固态继电器。
    使用建议:
    - 在电池供电的系统中,选择合适的驱动电路以确保MOSFET的高效运行。
    - 在高频率应用中,注意散热设计,避免热累积造成器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    该产品可与各种逻辑电平接口、驱动器以及其他电子元器件兼容。VBsemi公司提供完善的技术支持和售后服务,以帮助客户解决问题并确保产品正常运行。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何判断MOSFET是否已损坏?
    - 解决方案:通过测量栅阈值电压(VGS(th))来判断,如果超过最大值,则可能已损坏。
    - 问题:在高温环境下工作时,如何提高可靠性?
    - 解决方案:使用外部散热片或者强制风冷来降低工作温度,同时注意不要超出绝对最大额定值。


    7. 总结和推荐


    UK3018G-AE2-R-VB是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。该产品非常适合用于逻辑电平接口和高速驱动电路的设计。综合其出色的性能表现和广泛应用场景,强烈推荐给需要高效能功率控制解决方案的工程师和设计师。

UK3018G-AE2-R参数

参数
最大功率耗散 300mW
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 250mA
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.1Ω @ VGS = 4.5 V,ID = 150 mA(typ)
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UK3018G-AE2-R厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UK3018G-AE2-R数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UK3018G-AE2-R UK3018G-AE2-R数据手册

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