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VBFB2102M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-9A,RDS(ON),215mΩ@10V,234mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: VBFB2102M TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBFB2102M

VBFB2102M概述

    P-Channel 100V MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel 100V MOSFET 是一种高压功率场效应晶体管,适用于电源开关和直流-直流转换器等多种应用场合。这款MOSFET 具备卓越的性能和稳定性,能够有效提升电子设备的能效和可靠性。

    技术参数


    - 电压规格:漏源电压 \(V{DS}\) 为 100V,适用于多种高压环境。
    - 电流规格:连续漏极电流 \(ID\)(\(TJ = 150^\circ C\))最高可达 12A(\(TC = 25^\circ C\)),脉冲漏极电流 \(I{DM}\) 最高可达 30A。
    - 电阻规格:在 \(V{GS} = -10V\) 下,导通电阻 \(R{DS(on)}\) 为 0.215Ω;在 \(V{GS} = -4.5V\) 下,导通电阻为 0.234Ω。
    - 电容规格:输入电容 \(C{iss}\) 为 1055pF,输出电容 \(C{oss}\) 为 65pF,反向传输电容 \(C{rss}\) 为 41pF。
    - 充电量规格:总栅极电荷 \(Qg\) 在不同条件下分别为 23nC 和 11nC。
    - 其他规格:阈值电压 \(V{GS(th)}\) 为 1V 到 2.5V,雪崩电流 \(I{AS}\) 为 20A,单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\) 为 16.2mJ。

    产品特点和优势


    - 高可靠性:通过 100% 的栅极电阻 \(Rg\) 和 UIS 测试,确保长期可靠运行。
    - 环保材料:符合无卤素标准,根据 IEC 61249-2-21 定义,且符合 RoHS 指令 2002/95/EC。
    - 卓越性能:导通电阻低,能够在各种工作条件下保持稳定的性能。
    - 广泛的适用性:适合用于各种电源开关和直流-直流转换器,适用于多种工业和消费电子设备。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于服务器电源、通信设备电源管理和电动汽车充电系统等。
    - 使用建议:建议在使用时进行充分散热设计,特别是在高功率应用中。确保电路板的设计能够满足热管理需求,避免过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 与多数主流 PCB 材料兼容,如 FR-4,且适用于标准 TO-251 封装。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和支持,包括详细的安装指南和故障排查手册。此外,还设有专门的服务热线(400-655-8788)以提供技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何保证 MOSFET 在高功率应用中的可靠性?
    - 解决方案:建议采用高效的散热设计,确保 MOSFET 处于合理的工作温度范围内。同时,定期检查并更换过热保护装置。
    - 问题 2:如何正确选择栅极驱动信号?
    - 解决方案:根据应用需求和器件特性,合理设定栅极驱动电压和电流。建议参考产品手册中的典型应用电路图。

    总结和推荐


    P-Channel 100V MOSFET 以其卓越的性能、可靠的电气特性和广泛的适用性,成为许多高压应用场合的理想选择。它的高效能和环保特性使其在市场上具有很强的竞争力。因此,我强烈推荐该产品,尤其是在需要高性能 MOSFET 的应用中。

VBFB2102M参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 9A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 215mΩ@10V,234mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBFB2102M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBFB2102M数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBFB2102M VBFB2102M数据手册

VBFB2102M封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5546
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