处理中...

首页  >  产品百科  >  2SJ529S

2SJ529S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO-252
供应商型号: 14M-2SJ529S TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ529S

2SJ529S概述

    2SJ529S-VB P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    2SJ529S-VB 是一种P沟道功率MOSFET,主要适用于负载开关应用。它采用TO-252封装,具有高性能和高可靠性,广泛应用于电源管理和控制领域。

    技术参数


    - 基本特性
    - 最大漏源电压(VDS): 60 V
    - 最大连续漏电流(ID): 30 A
    - 漏源导通电阻(rDS(on)):
    - 在VGS=-10 V时,ID=-5 A: 0.100 Ω(TJ=125 °C)
    - 在VGS=-10 V时,ID=-5 A: 0.150 Ω(TJ=175 °C)
    - 在VGS=-4.5 V时,ID=-2 A: 0.072 Ω
    - 零栅极电压漏电流(IDSS): ≤-1 μA
    - 门阈电压(VGS(th)): -1.0 ~ -3.0 V
    - 输入电容(Ciss): 1000 pF
    - 输出电容(Coss): 120 pF
    - 反向转移电容(Crss): 100 pF
    - 门电荷(Qg): 10 nC
    - 开启延迟时间(td(on)): 6 ns
    - 上升时间(tr): 15 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)): 16 ns
    - 下降时间(tf): 8 ns
    - 绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压(VGS): ±20 V
    - 最大连续漏电流(ID): -30 A(TJ = 175 °C)
    - 脉冲漏电流(IDM): 10 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 7.2 mJ
    - 最大功率耗散(PD): 34 W(TA = 25 °C)
    - 最高工作结温和存储温度范围(Tstg): -55 °C ~ 175 °C

    产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的TrenchFET技术,提高了效率和可靠性。
    - 100% UIS测试:保证产品质量和长期可靠性。
    - 低导通电阻:在不同温度下保持较低的rDS(on),确保在各种条件下都能稳定运行。
    - 快速开关速度:低的td(on)和tf时间,提高电路的响应速度。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:适合用于电源管理和控制应用,如电池充电管理、电机驱动和LED照明。
    - 使用建议:在设计电路时,应注意散热管理,尤其是在大电流工作环境下,以避免过热。确保电路中其他元件的兼容性,特别是在高速开关应用中。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与大多数标准电源管理电路兼容,可以轻松集成到现有系统中。
    - 支持:制造商提供详细的用户手册和技术支持,客户可联系服务热线400-655-8788获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 电路出现不稳定现象。
    - 解决方案: 检查电路连接是否正确,尤其是栅极和源极的连接。
    - 问题2: 设备发热严重。
    - 解决方案: 确保电路中有足够的散热措施,如增加散热片或使用散热器。
    - 问题3: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 检查门电阻(RG)的设置,调整至合适的值。

    总结和推荐


    2SJ529S-VB 是一款高性能的P沟道MOSFET,适用于多种电源管理和控制应用。其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性使其成为市场上的佼佼者。强烈推荐在需要高效电源管理的应用中使用此产品。

2SJ529S参数

参数
Id-连续漏极电流 30A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SJ529S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ529S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ529S 2SJ529S数据手册

2SJ529S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.3104
库存: 100
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 6.55
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504