处理中...

首页  >  产品百科  >  VBZM80N10

VBZM80N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: VBZM80N10 TO-220AB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM80N10

VBZM80N10概述

    N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBZM80N10 是一款适用于高温应用的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用先进的TrenchFET®工艺制造,能在高达175°C的结温下正常工作。这种MOSFET非常适合应用于汽车、工业控制及高可靠性需求的应用场景。

    2. 技术参数


    - 电压规格:
    - 最大漏源电压(VDS): 100V
    - 最大栅源电压(VGS): ±20V
    - 电流规格:
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C): 100A (TC = 25°C),75A (TC = 125°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 300A
    - 热参数:
    - 最大功耗(PD): 250W (TO-220AB 和 TO-263),3.75W (TO-263)
    - 热阻(RthJA): 40°C/W (自由空气),62.5°C/W (TO-220AB)
    - 温度范围:
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 至 175°C

    3. 产品特点和优势


    - 高温稳定性: 结温最高可达175°C,使得该MOSFET特别适合于高温工作环境。
    - 高可靠性: 符合RoHS标准,满足环保要求。
    - 高耐压: 漏源电压100V保证了在高压应用下的可靠运行。
    - 低导通电阻: 在不同工作条件下提供优异的低导通电阻,有助于减少能耗和发热。


    4. 应用案例和使用建议


    - 汽车电子: 在汽车点火系统和电池管理系统中广泛应用。
    - 工业控制: 用于电机驱动和电源转换电路。
    - 使用建议: 在设计电路时,应考虑散热问题,特别是在高功率应用中,建议加装适当的散热片以确保最佳工作状态。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET与现有的多数工业标准电路板兼容。
    - 技术支持: 制造商提供了详尽的技术文档和在线支持,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: MOSFET过热。
    - 解决方案: 确保安装适当的散热片,调整电路设计以降低功耗。
    - 问题2: 开关频率过高导致效率下降。
    - 解决方案: 优化电路设计,合理选择开关频率。

    7. 总结和推荐


    - 总结: VBZM80N10是一款具备出色性能的N沟道功率MOSFET,特别适合在高温环境下工作的各种应用。其出色的高温稳定性和低导通电阻使其在市场上具有较高的竞争力。
    - 推荐: 基于其稳定性和广泛的应用场景,我们强烈推荐VBZM80N10给需要高性能、高可靠性的客户。

VBZM80N10参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Id-连续漏极电流 100A
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZM80N10厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM80N10数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM80N10 VBZM80N10数据手册

VBZM80N10封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 2.3378
库存: 100
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 11.68
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0