处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFBC20PBF

IRFBC20PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);TO220
供应商型号: 14M-IRFBC20PBF TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFBC20PBF

IRFBC20PBF概述

    IRFBC20PBF-VB N-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    IRFBC20PBF-VB 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),适用于各种工业和消费电子应用。其主要功能包括低导通电阻、高击穿电压以及快速开关性能。这些特性使其特别适合于电源转换、电机控制、照明系统以及其他需要高效能和高可靠性的应用领域。

    2. 技术参数


    IRFBC20PBF-VB 的关键技术参数如下:
    - 额定电压 (VDS):650 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):10 V时为4 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为11 nC
    - 输入电容 (Ciss):典型值为417 pF
    - 输出电容 (Coss):最大值为45 pF
    - 反向转移电容 (Crss):最大值为5 pF
    - 栅源电荷 (Qgs):典型值为2.3 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):典型值为5.2 nC
    - 连续漏极电流 (ID):25 °C时为1.28 A;100 °C时为1.28 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):8 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):165 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):2 A
    - 重复雪崩能量 (EAR):6 mJ
    - 热阻 (RthJA):最大值为65 °C/W
    - 峰值二极管恢复电压 (dV/dt):2.8 V/ns
    - 最大结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 至 +150 °C

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg):减少驱动要求,简化电路设计。
    - 增强型栅极、雪崩和动态dv/dt耐受性:提升整体可靠性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压及电流:确保高精度和一致性。
    - 符合RoHS指令:环保材料,适合绿色制造。

    4. 应用案例和使用建议


    IRFBC20PBF-VB 广泛应用于电源管理、电机驱动、LED照明和各类电力变换系统。例如,在电源适配器中,它可以作为主控开关,提供高效率和低损耗。在电机驱动系统中,它能够实现快速响应和高精度控制。
    使用建议:
    - 在高频应用中,需注意栅极驱动的设计,以避免振荡。
    - 在高温环境下使用时,应合理考虑散热设计,确保工作温度在安全范围内。

    5. 兼容性和支持


    IRFBC20PBF-VB 与市场上常见的电源管理和电机控制模块高度兼容。供应商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括在线文档、专业培训和技术支持热线。

    6. 常见问题与解决方案


    1. Q:栅极电荷过高如何处理?
    A:可以通过优化栅极驱动电路,使用低电荷栅极驱动器来降低Qg。

    2. Q:工作温度超出规定范围怎么办?
    A:应通过增加散热片或改善散热机制来确保工作温度在规定的范围内。

    3. Q:出现雪崩失效如何处理?
    A:检查负载是否过载,并确保在额定参数内操作。

    7. 总结和推荐


    总体来看,IRFBC20PBF-VB 在性能上表现出色,具备低导通电阻、高耐压、快速开关等特点,非常适合于各种高效率应用。其良好的兼容性和完善的售后支持使其成为电子工程师的优选之一。强烈推荐在需要高效率、高可靠性的场合使用此款产品。

IRFBC20PBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 417pF
Id-连续漏极电流 2A
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4Ω@VGS = 10 V ID = 1 A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 45W
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRFBC20PBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFBC20PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFBC20PBF IRFBC20PBF数据手册

IRFBC20PBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.1918
库存: 50
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 5.95
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336