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VBZA9435

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8\n一款单P沟道场效应晶体管(FET),用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
供应商型号: VBZA9435 SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZA9435

VBZA9435概述

    # P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel 30-V MOSFET 是一款高性能的场效应晶体管,适用于多种电力应用场合。它具有优良的电气特性和热管理能力,能够有效地控制电流并提高系统效率。主要应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等领域。

    技术参数


    - 电压范围: VDS = -30 V
    - 连续漏极电流: ID = -5.8 A(TA = 25°C)至 -4.1 A(TA = 70°C)
    - 脉冲漏极电流: IDM = -30 A
    - 最大功率耗散: PD = 2.5 W(TA = 25°C)至 1.3 W(TA = 70°C)
    - 工作温度范围: TJ, Tstg = -55°C 至 150°C
    - 静态特性:
    - 栅阈电压: VGS(th) = -0.7 V 至 -2.0 V
    - 零栅电压漏极电流: IDSS < -1 μA(VDS = -30 V)
    - 漏源导通电阻: RDS(on) = 0.033 Ω(VGS = -10 V)
    - 前进转移电导: gfs = 13 S(VDS = -15 V)
    - 动态特性:
    - 总栅电荷: Qg = 16 nC(VDS = -15 V)
    - 关断延时时间: td(off) = 42 ns
    - 栅源电容: Qgs = 2.3 nC
    - 栅漏电容: Qgd = 4.5 nC
    - 关断恢复时间: trr = 30 μs(IF = -1.2 A)

    产品特点和优势


    P-Channel 30-V MOSFET 具有多项显著特点:
    - 低导通电阻: 最低导通电阻为 0.033 Ω,能有效降低损耗,提升效率。
    - 高可靠性: 设计符合RoHS和IEC 61249-2-21标准,无卤素。
    - 优异的热管理: 热阻低,可在高环境温度下稳定工作。
    - 快速响应: 动态特性良好,有助于提高系统的整体响应速度和稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源: 在高频开关电源中作为开关元件,实现高效能量转换。
    - 电机驱动: 用于直流电机的逆变器电路,提供可靠的电流控制。
    - 电池管理系统: 监控和保护电池组的充放电过程,延长电池寿命。
    使用建议
    - 散热设计: 在高负载情况下,应注意增加散热措施,确保良好的热管理。
    - 布线设计: 在PCB布局中尽量减少寄生电感,确保信号完整性。
    - 测试与验证: 在实际应用前进行充分的测试,确保器件在各种工作条件下的性能。

    兼容性和支持


    P-Channel 30-V MOSFET 具有良好的通用性,适用于大多数标准电路板设计。制造商提供了详尽的技术支持和维护服务,包括产品手册和技术文档,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过温保护失效: 温度过高导致器件损坏。
    2. 漏电流过大: 长时间运行后出现异常。
    3. 响应时间慢: 在高速切换场景中表现不佳。
    解决方案
    1. 过温保护失效: 检查散热系统是否正常工作,必要时增加散热片或风扇。
    2. 漏电流过大: 检查器件是否有损坏或老化现象,如发现应及时更换。
    3. 响应时间慢: 调整电路设计,减少寄生电感,优化栅极驱动电路。

    总结和推荐


    P-Channel 30-V MOSFET 是一款非常优秀的电力电子器件,具备出色的电气特性和可靠性。其在多个应用领域的卓越表现使其成为众多用户的首选。强烈推荐在需要高效率、高可靠性的电力电子系统中使用该产品。
    以上内容是根据提供的技术手册生成的产品介绍及技术规格解析。希望这些信息对您选择合适的电子元器件有所帮助。

VBZA9435参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 6A
配置 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@10V,54mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZA9435厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZA9435数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZA9435 VBZA9435数据手册

VBZA9435封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ ¥ 0.9725
100+ ¥ 0.9004
500+ ¥ 0.8644
4000+ ¥ 0.8284
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