处理中...

首页  >  产品百科  >  NTD5865NL-1G

NTD5865NL-1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 60V 55A 11mΩ@10V TO251
供应商型号: 14M-NTD5865NL-1G TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD5865NL-1G

NTD5865NL-1G概述

    NTD5865NL-1G-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTD5865NL-1G-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(场效应晶体管),属于VBsemi公司出品的电子元器件之一。其主要特性包括极高的耐热性能(175°C的结温)和高效的转换效率,适用于广泛的电力应用场合。该产品具有优秀的导通电阻和电流承载能力,特别适合用于高频开关电源、电机驱动和其他功率转换电路中。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 静态
    | 漏源击穿电压 | 60 | - | - | V |
    | 栅阈电压 | 1 | 3 | - | V |
    | 栅体泄漏电流 | -100 | - | 100 | nA |
    | 开启时漏电流 | 1 | - | 250 | µA |
    | 导通电阻(RDS(on)) | - | 0.012 | 0.017 | Ω |
    | 动态
    | 输入电容(Ciss) | - | 3650 | - | pF |
    | 输出电容(Coss) | - | 570 | - | pF |
    | 反向转移电容(Crss) | - | 325 | - | pF |

    3. 产品特点和优势


    NTD5865NL-1G-VB 的独特之处在于其能够承受高达175°C的结温,这使其在极端环境下依然能够保持稳定的性能。此外,该产品的栅阈电压范围广,能够满足不同应用场景的需求。RDS(on)低至0.012Ω,保证了其在高电流应用中的高效性。另外,良好的栅电荷特性和低输入输出电容使得该产品非常适合用于高频开关电源和驱动应用。

    4. 应用案例和使用建议


    NTD5865NL-1G-VB 在多种电力转换应用中表现出色,如DC-DC转换器、电机驱动和照明控制。对于设计人员而言,推荐选择合适的驱动电路以降低开关损耗并提高效率。例如,在高频应用中,可以使用更优的栅极驱动器来减少开关时间,从而进一步提升系统效率。

    5. 兼容性和支持


    NTD5865NL-1G-VB 支持标准TO-251封装,易于集成到现有系统中。公司提供详尽的技术支持文档,包括详细的安装指南和故障排查手册,确保用户能够顺利使用该产品。同时,VBsemi公司还提供了可靠的售后服务和技术支持,以应对任何潜在问题。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问:能否在高温环境中长期运行?
    - 答:可以。该产品能够在高达175°C的结温下工作,保证在极端温度条件下的稳定运行。

    2. 问:如何降低开关损耗?
    - 答:可以通过选择适当的栅极驱动器并优化驱动信号波形来实现。具体可以参考厂商提供的应用笔记进行调优。
    3. 问:需要怎样的散热措施?
    - 答:由于该产品的工作结温较高,建议使用合适的散热片或风扇来加强散热效果,尤其是在满载工作时。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NTD5865NL-1G-VB 是一款非常可靠且高效的N沟道功率MOSFET,适合用于各种高功率和高温应用场合。它的高结温耐受能力和低导通电阻特性使其成为市场上的佼佼者。强烈推荐设计人员和工程师考虑将其纳入他们的设计方案中,以获得更好的性能和可靠性。

NTD5865NL-1G参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 55A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

NTD5865NL-1G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD5865NL-1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD5865NL-1G NTD5865NL-1G数据手册

NTD5865NL-1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.3104
库存: 200
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 6.55
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336