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VBZE2N70S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=700V;ID =2A;RDS(ON)=2400mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;
供应商型号: VBZE2N70S TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE2N70S

VBZE2N70S概述


    产品简介


    VBZE2N70S是一款由VBsemi公司生产的N沟道超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品的工作电压为700伏特,适用于各种高电压应用。VBZE2N70S的主要功能是作为开关或放大器,广泛应用于电源转换、电机驱动、照明控制和通信设备等领域。

    技术参数


    - 工作电压:700伏特(VDS)
    - 导通电阻(RDS(on)):10 V时最大值为2.4欧姆
    - 栅极电荷(Qg):最大值为15纳库仑(nC)
    - 输入电容(Ciss):在25 V下最大值为330皮法拉(pF)
    - 输出电容(Coss):最大值为40皮法拉(pF)
    - 反向传输电容(Crss):最大值为5皮法拉(pF)
    - 连续漏电流(ID):25 °C时最大值为1.6安培
    - 脉冲漏电流(IDM):最大值为8.0安培
    - 重复雪崩能量(EAR):最大值为2毫焦耳(mJ)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):最大值为165毫焦耳(mJ)
    - 最大功耗(PD):25 °C时最大值为60瓦
    - 存储温度范围:-55到+150摄氏度(Tj, Tstg)
    - 引脚布局:TO-252封装

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:低栅极电荷(Qg)导致简单的驱动要求,降低驱动电路的复杂性。
    2. 增强的坚固性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐受性,使其能够在恶劣环境中稳定运行。
    3. 全面的电容特性:完全标定的电容和雪崩电压及电流特性,保证了产品在实际应用中的可靠性和稳定性。
    4. 符合RoHS标准:产品符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求,环保安全。

    应用案例和使用建议


    应用案例:VBZE2N70S常用于各种高电压应用,例如电源转换器、电机驱动系统、照明控制器和通信设备等。这些应用对MOSFET的高电压耐受性和低导通电阻有着严格的要求。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,应确保其能够满足低栅极电荷的要求,以简化驱动电路的设计。
    - 鉴于其增强的坚固性,可在要求高可靠性的工业应用中优先考虑。
    - 使用过程中应注意散热管理,特别是在高电流应用中,以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    兼容性:VBZE2N70S采用TO-252封装,易于安装和更换。该产品可以与其他同类TO-252封装的MOSFET互换使用。
    支持和维护:VBsemi公司提供全面的技术支持,包括产品手册、技术文档和应用指南等,帮助客户更好地理解和使用该产品。同时,公司也提供售后服务和技术咨询,以确保客户在使用过程中的顺利进行。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下工作时,性能下降。
    - 解决方案:合理设计散热系统,确保散热片能够有效降低产品工作温度,避免过热。
    2. 问题:栅极电荷过高导致驱动电路复杂。
    - 解决方案:使用低栅极电荷的MOSFET,简化驱动电路设计,降低总体成本。
    3. 问题:产品在高压环境下的可靠性问题。
    - 解决方案:确保在实际应用中不超过产品规定的最大工作电压,遵循相关规范和标准,提高产品寿命。

    总结和推荐


    总结:VBZE2N70S是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,具有低栅极电荷、增强的坚固性以及全面的电容特性。其符合RoHS标准,适用于多种高电压应用,特别是在需要高可靠性、高效率的应用中表现出色。
    推荐:鉴于VBZE2N70S的优异性能和广泛应用前景,我们强烈推荐将其用于需要高电压、高可靠性及低导通电阻的各类电源转换、电机驱动和其他电力电子应用中。

VBZE2N70S参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.4Ω(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 700V
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 2A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE2N70S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE2N70S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE2N70S VBZE2N70S数据手册

VBZE2N70S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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起订量: 15 增量: 2500
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