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VBZM75N03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: 14M-VBZM75N03
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM75N03

VBZM75N03概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册详细介绍了一款N沟道30-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为VBZM75N03。这种MOSFET属于TrenchFET® Power MOSFET系列,广泛应用于电源管理、服务器、直流/直流转换等领域。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 门源电压 (VGS): ± 20 V
    - 持续漏电流 (TC = 25 °C): 120 A
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C): 250 W
    - 热阻 (RthJA): 32°C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 30 V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): 1.0 ~ 2.5 V
    - 通态漏源电阻 (RDS(on), VGS = 10 V): 0.003 Ω
    - 通态漏源电阻 (RDS(on), VGS = 4.5 V): 0.004 Ω
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 3100 pF
    - 输出电容 (Coss): 725 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 370 pF
    - 总栅极电荷 (Qg, VGS = 10 V): 171 ~ 257 nC
    - 工作温度范围:
    - 工作温度范围: -55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    VBZM75N03 MOSFET具备以下独特功能和优势:
    - 高可靠性和测试:所有器件均通过100% Rg和UIS测试,符合RoHS标准。
    - 卓越的热性能:低热阻设计,确保在高温下的稳定运行。
    - 快速开关:低导通电阻和高输入电容使其成为高效开关的理想选择。
    - 广泛的温度适应性:适用于极端环境条件。

    应用案例和使用建议


    - OR-ing:由于其出色的可靠性,这款MOSFET特别适合用于冗余电源系统中的OR-ing电路。
    - 服务器:它能够在高负载条件下保持稳定运行,适用于高性能服务器系统。
    - DC/DC转换器:对于需要快速响应时间的直流/直流转换器应用,其高转导率和低导通电阻使得其表现优异。
    使用建议:
    - 在应用时,确保散热良好以避免因过热导致的性能下降。
    - 使用适当的栅极电阻(如1 Ω)以提高稳定性。

    兼容性和支持


    VBZM75N03与大多数主流服务器和DC/DC转换器板兼容。制造商提供了详细的技术支持和售后服务,包括产品咨询、故障排除和技术文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间高电流工作导致发热。
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如加装散热片或使用散热风扇。

    - 问题2:栅极电压不稳定。
    - 解决方案:使用稳压电源,并确保适当的栅极电阻。

    总结和推荐


    综上所述,VBZM75N03 MOSFET在性能和可靠性方面表现出色,特别是在高电流、高温环境下具有显著优势。对于需要高效、稳定的电源管理系统,这款MOSFET是一个理想的选择。我们强烈推荐在相关的电子设备中采用此产品。
    服务热线:400-655-8788

VBZM75N03参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 120A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZM75N03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM75N03数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM75N03 VBZM75N03数据手册

VBZM75N03封装设计

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