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IRF5810TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-1.2~-2.2Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: 14M-IRF5810TRPBF SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF5810TRPBF

IRF5810TRPBF概述

    # IRF5810TRPBF-VB 技术手册解析

    产品简介


    IRF5810TRPBF-VB 是一款高性能的双沟道 P 沟道 MOSFET,具有极低的导通电阻(RDS(on))和快速开关速度。该产品专为便携式设备的负载开关和电池切换设计,广泛应用于计算机、便携式电子设备等领域。
    主要功能:
    - 双 P 沟道 MOSFET
    - 极低的导通电阻(RDS(on))
    - 快速开关速度
    - 支持高电流输出
    应用领域:
    - 负载开关(Load Switch)
    - 电池切换(Battery Switch)
    - 计算机总线开关(Bus Switch)

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | -20 V |
    | 栅源电压 | VGS | ±12 V |
    | 连续漏极电流 | ID | -4.0 | -3.2 | -3.6 | A |
    | 瞬态漏极电流 | IDM | -12 A |
    | 导通状态电阻 | RDS(on) | 0.075 | 0.100 Ω |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 µA |
    | 静态输入电容 | Ciss | 210 pF |
    | 输出电容 | Coss | 45 pF |
    | 正向传输电容 | Crss | 33 pF |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) 的典型值仅为 0.075Ω,适合高效率的电源管理。
    2. 快速开关性能:支持高速开关,适合高频应用。
    3. 高可靠性:采用 TrenchFET® 技术,确保长时间稳定运行。
    4. 环保设计:符合 RoHS 和卤素自由标准,适合绿色环保需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    IRF5810TRPBF-VB 常用于便携式设备的电池切换电路中。例如,在智能手机和平板电脑中,它可以作为主电源开关,有效控制设备的电源供应。
    使用建议:
    - 在使用时,确保驱动电压 VGS 超过阈值电压 VGS(th),以保证最佳性能。
    - 在高温环境下,注意散热设计,避免因过热导致的性能下降。
    - 在电池切换应用中,合理选择外部电路参数,如 Rg 和 RL,以优化开关速度和效率。

    兼容性和支持


    IRF5810TRPBF-VB 与大多数便携式设备的电池管理芯片兼容,可以轻松集成到现有的电路设计中。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查驱动电压是否满足要求 |
    | 导通电阻过大 | 确保电路设计符合推荐参数 |
    | 工作温度超出范围 | 增加散热措施,改善工作环境 |

    总结和推荐


    IRF5810TRPBF-VB 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具备低导通电阻、快速开关和高可靠性等特点。它非常适合便携式设备的负载开关和电池切换应用。综合考虑其技术参数和市场竞争力,强烈推荐该产品用于需要高效能和环保设计的应用场景。
    如需进一步技术支持或购买,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

IRF5810TRPBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF5810TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF5810TRPBF数据手册

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