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VBMB1303

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,140A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-VBMB1303
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB1303

VBMB1303概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的功率开关器件,属于TrenchFET®系列。这种晶体管具有出色的电气特性和可靠性,特别适用于OR-ing、服务器和DC/DC转换器等应用领域。

    2. 技术参数


    以下是N-Channel 30-V MOSFET的关键技术参数:
    - 额定电压 (VDS):30 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.004 Ω(VGS = 10 V),0.005 Ω(VGS = 4.5 V)
    - 连续漏极电流 (ID):90 A(TJ = 175 °C)
    - 总栅极电荷 (Qg):171 nC(VDS = 15 V,VGS = 10 V,ID = 28.8 A)
    - 最大功率耗散 (PD):250 W(TC = 25 °C)
    - 最大漏极-源极二极管电流 (IS):90 A
    - 最大栅极-源极泄漏电流 (IGSS):± 100 nA

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试,确保产品的长期稳定性和可靠性。
    - 低导通电阻:RDS(on)仅为0.004 Ω,使功耗极低,适用于高效率应用。
    - 良好的热稳定性:低至32 °C/W的结到环境热阻率,能够在高功率条件下保持稳定的性能。
    - RoHS合规:符合RoHS指令,环保无污染。
    - 应用广泛:适用于OR-ing、服务器、DC/DC转换器等多种应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - OR-ing 应用:用于电源系统的冗余设计,确保系统在某一电源失效时仍能正常运行。
    - 服务器应用:作为电源管理的重要组件,提供高效的电力转换和分配。
    - DC/DC 转换器:用于高压直流电源转换为低压直流电源,广泛应用于各种电子设备中。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保散热措施到位,以避免过高的温度导致性能下降。
    - 在高温环境下,可以考虑使用额外的散热片或风扇来增强散热效果。
    - 在大电流应用中,应注意控制栅极驱动信号,以避免过高的瞬态电流损坏器件。

    5. 兼容性和支持


    N-Channel 30-V MOSFET与多种电子设备和模块兼容,适用于广泛的系统设计。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括产品安装指南、应用笔记和技术咨询,确保用户能够顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:栅极驱动电压不正确
    - 解决方案:确保栅极驱动电压在规定的范围内(-20 V到+20 V)。过高或过低的电压都可能导致器件损坏。
    - 问题2:过高的温度导致性能下降
    - 解决方案:改善散热设计,如添加散热片或使用水冷系统。确保散热措施能够将工作温度控制在安全范围内。
    - 问题3:过流保护失效
    - 解决方案:检查电路设计中的过流保护电路,确保其正确配置并有效工作。必要时,增加外部熔断器或过流保护器件。

    7. 总结和推荐


    N-Channel 30-V MOSFET 是一款高性能的功率器件,适用于多种高要求的应用场景。其低导通电阻、高可靠性和优秀的散热性能使其成为电源管理和控制系统中的理想选择。强烈推荐在高效率电源转换、服务器和其他工业应用中使用此产品。
    总之,N-Channel 30-V MOSFET凭借其卓越的性能和可靠性,是值得信赖的电子元件。无论是在效率要求严格的场合还是在对温度敏感的环境中,该产品都能表现出色,值得推荐给广大用户。

VBMB1303参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 140A
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,3.5mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB1303厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB1303数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB1303 VBMB1303数据手册

VBMB1303封装设计

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