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IPP60R190P6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO220
供应商型号: 14M-IPP60R190P6 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP60R190P6

IPP60R190P6概述

    IPP60R190P6-VB N-Channel 650 V (D-S) Super Junction MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IPP60R190P6-VB 是一款N通道超结MOSFET,适用于多种高功率应用场合。这款电子元器件主要功能是作为开关管,在电信、照明、消费电子及工业等领域广泛应用。它具备低电阻和快速开关能力,能够在各种负载条件下实现高效的电能转换。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\):650 V
    - 阈值电压 \(V{GS(th)}\):2 V 到 4 V
    - 最大门极源极电压 \(V{GS}\):± 30 V
    - 最大漏极连续电流 \(ID\):13 A(在 100°C 时)
    - 电气特性
    - 漏极源极导通电阻 \(R{DS(on)}\):0.19 Ω(在 25°C 时)
    - 最大门极电荷 \(Qg\):106 nC(在 10 V 时)
    - 输入电容 \(C{iss}\):2322 pF
    - 反向恢复时间 \(t{rr}\):160 ns
    - 最大反向恢复电流 \(I{RRM}\):14 A
    - 工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 最大门极至漏极电压变化率 \(dV/dt\):37 V/ns(在 125°C 时)

    产品特点和优势


    - 低损耗设计:通过减少 \(t{rr}\)、\(Q{rr}\) 和 \(I{RRM}\),使得器件具有较低的开关损耗和更高的效率。
    - 高集成度:具有低输入电容 \(C{iss}\) 和极低的门极电荷 \(Qg\),能够简化电路设计并提升整体系统性能。
    - 可靠性:支持重复脉冲操作,具有稳定的 \(E{AS}\) 值,能够在极端条件下稳定工作。
    - 宽泛的应用:适用于各类高功率应用,如电信电源、照明设备、ATX 电源、焊接设备和太阳能逆变器等。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应:由于其高效率和稳定性,适合用于电信基础设施中的高可靠电源系统。
    - 高亮度放电(HID)灯及荧光灯驱动:适用于照明领域的驱动电路,提供良好的电流控制和稳定性。
    - 太阳能光伏逆变器:具有出色的开关特性和低损耗,适合作为逆变器中的关键组件。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,应注意散热,保证器件在额定范围内正常运行。
    - 采用适当的 PCB 设计和热管理策略以提高系统的可靠性和效率。

    兼容性和支持


    IPP60R190P6-VB 支持与现有的大多数电路板标准兼容,便于集成到现有系统中。VBsemi 提供了详细的技术文档和客户服务热线(400-655-8788),以帮助客户进行产品的选型、设计及售后支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定器件的最大工作电流?
    - 解决方案:根据温度曲线图,确保电流不超过器件的最大允许值,尤其是在高温环境下。

    - 问题:器件在高频率开关时会出现过热现象吗?
    - 解决方案:确保充分散热,必要时可使用散热片或风扇辅助降温。

    总结和推荐


    IPP60R190P6-VB 是一款高性能的N通道超结MOSFET,具有卓越的电气特性和广泛的适用性。在高功率应用领域表现尤为突出,如服务器电源、照明系统和光伏逆变器等。对于需要高效率和高可靠性的系统设计来说,它是一个理想的选择。因此,强烈推荐将该产品应用于各类高要求的电力转换系统中。

IPP60R190P6参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 300uA
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 400mΩ@ 10V,3.8A
栅极电荷 -
最大功率耗散 112W
配置 -
Id-连续漏极电流 14.7A
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.322nF
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IPP60R190P6厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP60R190P6数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP60R190P6 IPP60R190P6数据手册

IPP60R190P6封装设计

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