处理中...

首页  >  产品百科  >  VBZE15N03

VBZE15N03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: 14M-VBZE15N03 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE15N03

VBZE15N03概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(型号:VBZE15N03)是一款高性能的电子元器件,属于功率场效应晶体管(Power MOSFET)。它具有高可靠性和出色的电气特性,适用于多种应用场景,如电源管理、服务器系统、DC/DC转换等。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | VGS = 0 V, ID = 250 µA | 30 | - | - | V |
    | 阈值电压 (VGS(th)) | VDS = VGS, ID = 250 µA | 1.5 | 2.0 | - | V |
    | 门极泄漏电流 (IGSS) | VDS = 0 V, VGS = ±20 V | - | ±100 | - | nA |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | VGS = 10 V, ID = 21.8 A | - | 0.007 | - | Ω |
    | 输出电容 (Coss) | VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | - | 525 | - | pF |
    | 门极电荷 (Qg) | VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 21.8 A | 35 | 45 | - | nC |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽技术,具有更低的导通电阻和更高效的开关性能。
    2. 100% Rg和UIS测试:确保产品在生产过程中进行了严格的测试,提高了可靠性。
    3. 符合RoHS指令:环保设计,适用于需要遵守环保标准的应用。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于服务器系统和电源管理系统中。例如,在服务器电源转换模块中,它能够高效地完成电力转换,从而提高系统的整体效率。在实际应用中,建议合理布置电路板以减少寄生电感和电容的影响,从而进一步提升其性能。

    兼容性和支持


    该产品为TO-252封装形式,适用于大多数标准焊接设备和工艺。制造商提供了详细的技术支持文档和产品使用指南,用户可以随时访问官方网站获取相关信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:长时间工作后出现过热现象
    - 解决方法:检查散热设计是否合理,适当增加散热片或改善通风环境。
    2. 问题:导通电阻过高
    - 解决方法:确认门极驱动电压是否达到要求,适当增加驱动电流。
    3. 问题:输出不稳定
    - 解决方法:检查负载是否匹配,确保电路布局合理,避免干扰信号的影响。

    总结和推荐


    综上所述,VBZE15N03 MOSFET具备出色的性能和可靠的稳定性,适用于多种电源管理和控制系统。对于需要高效、稳定电力转换的应用场景,该产品是理想的选择。强烈推荐在相关应用中采用此产品,以实现最佳性能和可靠性。

VBZE15N03参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 70A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE15N03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE15N03数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE15N03 VBZE15N03数据手册

VBZE15N03封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.8351
库存: 100
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 4.17
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504