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UTT25P10L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P沟道 -100V -18A 167mΩ@-10V TO-220AB
供应商型号: 14M-UTT25P10L TO-220AB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT25P10L

UTT25P10L概述

    UTT25P10L-VB P-Channel 100V MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    UTT25P10L-VB是一款由台湾VBsemi公司生产的P沟道100V(漏极到源极)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET)。这种MOSFET具有高可靠性,适用于多种电力开关及高压电流应用,如电源开关、高电流负载开关以及DC/DC转换器等。该产品采用无卤材料制造,并符合RoHS标准。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 额定电压(Drain-Source Voltage, VDS): -100V
    - 栅源电压(Gate-Source Voltage, VGS): ±20V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C): -18A
    - 脉冲漏极电流(t = 300µs): -100A
    - 最大耗散功率(TA = 25°C): 1.1W
    - 热阻(Junction-to-Ambient, RthJA): 60°C/W
    - 栅阈值电压(Gate Threshold Voltage, VGS(th)): -1至-2.5V
    - 零栅压漏极电流(Zero Gate Voltage Drain Current, IDSS): -1μA
    - 导通电阻(RDS(on),VGS = -10V): 167mΩ
    - 输入电容(Input Capacitance, Ciss): 460pF
    - 输出电容(Output Capacitance, Coss): 330pF
    - 反向传输电容(Reverse Transfer Capacitance, Crss): 280pF
    - 总栅电荷(Total Gate Charge, Qg): 67nC
    - 上升时间(Rise Time, tr): 11ns
    - 下降时间(Fall Time, tf): 20ns

    3. 产品特点和优势


    - Halogen-Free: 无卤材料,符合IEC 61249-2-21标准,减少环境污染。
    - TrenchFET® Power MOSFET: 采用先进的沟槽技术,提高开关速度和降低导通损耗。
    - 100% Rg and UIS Tested: 全部进行栅极电阻和雪崩耐受性测试,确保产品质量。
    - RoHS Compliance: 符合欧盟RoHS指令,适合广泛的应用需求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源开关:适用于需要高电压和大电流的应用,如服务器电源供应器和电信设备。
    - 高电流负载开关:可用于电池管理系统,电动车辆充电系统等。
    - DC/DC转换器:适用于高效率的DC/DC转换器,提供稳定的电源输出。
    使用建议:
    - 确保在使用时栅极驱动电路设计正确,以避免过度开关导致的损耗。
    - 在极端温度下工作时,注意热管理,确保良好的散热性能。
    - 根据手册中的安全操作区域(SOA)曲线,在不同电压和电流条件下使用。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他标准的P沟道MOSFET具备良好的互换性,可以用于现有电路的设计替换。
    - 技术支持:台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高电流情况下出现过热。
    - 解决方案:加强散热措施,如使用散热片或风扇,确保良好散热。

    - 问题2:导通电阻较高。
    - 解决方案:检查驱动电路是否正常,确认驱动电压是否满足要求,必要时调整驱动电路参数。

    7. 总结和推荐


    UTT25P10L-VB以其高性能、高可靠性和广泛的适用性,成为一款值得推荐的P沟道MOSFET产品。其独特的无卤材料和RoHS合规性使其成为环保意识强的用户的理想选择。无论是在工业控制、通信设备还是电动车辆等领域,该产品都能发挥出色的表现。我们强烈推荐使用这款MOSFET来实现高效、可靠的电力管理和转换。

UTT25P10L参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 167mΩ@10V
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 18A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UTT25P10L厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT25P10L数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT25P10L UTT25P10L数据手册

UTT25P10L封装设计

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