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VBZMB12N60

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=600V;ID =12A;RDS(ON)=700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;
供应商型号: VBZMB12N60 TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZMB12N60

VBZMB12N60概述

    N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    N-Channel 650V(D-S)Super Junction Power MOSFET是一种高性能的功率开关器件,适用于各种高电压和高频的应用场景。它具有低导通电阻(RDS(on))和低输入电容(Ciss),能有效减少开关损耗和传导损耗。这些特点使其成为服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明系统的理想选择。

    技术参数


    - 工作电压: VDS最大值为600V
    - 连续漏极电流: 在TJ=150°C时,VGS=10V下的ID最大值为12A
    - 脉冲漏极电流: IDM最大值为45A
    - 热阻: 最大结到环境热阻RthJA为60°C/W,最大结到管壳热阻RthJC为0.8°C/W
    - 反向恢复时间: trr在TJ=25°C时的最大值为345ns
    - 输出电容: Coss最大值为-70pF
    - 总栅极电荷: Qg最大值为96nC
    - 栅源电荷: Qgs最大值为11nC
    - 栅漏电荷: Qgd最大值为21nC

    产品特点和优势


    - 低导通电阻和低栅极电荷: 提供低RON x QG的功率损失,有助于提高效率。
    - 快速开关: 低输入电容(Ciss)有助于加快开关速度,减少开关损耗。
    - 高可靠性: 支持高达650V的击穿电压,满足工业应用中的高压要求。
    - 良好的热性能: 优秀的热设计确保了稳定运行和长期可靠性。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源、功率因数校正电路和高能效照明系统中。对于开关模式电源系统,建议使用合适的驱动电路以避免过高的di/dt导致的损坏。在安装过程中,需要考虑低寄生电感和平面接地设计,以减少信号噪声。

    兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有系统中。制造商提供详尽的技术支持,包括产品手册、应用指南和在线技术支持服务。此外,产品符合RoHS标准,不含卤素,适用于多种严格环保要求的应用环境。

    常见问题与解决方案


    1. 问:产品工作温度范围是多少?
    - 答: 产品的存储和操作温度范围为-55°C至+150°C。

    2. 问:如何处理反向恢复电流过大导致的问题?
    - 答: 可通过优化电路设计,如降低寄生电感、增加缓冲电路等方式来减轻反向恢复电流的影响。

    总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET凭借其出色的性能参数、可靠的热管理能力和广泛的适用性,在众多电力转换和控制应用中表现出色。我们强烈推荐这一产品用于高能效和高可靠性要求的应用场景。

VBZMB12N60参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 12A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

VBZMB12N60厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZMB12N60数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZMB12N60 VBZMB12N60数据手册

VBZMB12N60封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.0815
100+ ¥ 3.7792
500+ ¥ 3.628
1000+ ¥ 3.4768
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型号 价格(含增值税)
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