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VBZMB5N80S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,5A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: VBZMB5N80S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZMB5N80S

VBZMB5N80S概述

    VBZMB5N80S N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBZMB5N80S 是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,适用于高电压转换应用。它具备动态dV/dt额定值、重复雪崩额定值、易并联性等特点,能够在高压和高频环境中稳定运行。
    主要功能:
    - 高动态dV/dt额定值,确保在高电压变化率下仍能稳定运行。
    - 重复雪崩额定值,提高电路可靠性。
    - 快速开关速度,降低开关损耗。
    - 简单驱动要求,便于集成。
    应用领域:
    - 工业控制设备
    - 电源转换系统
    - 汽车电子
    - 充电桩

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极击穿电压 | VGS | 0 | - | ±30 | V |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | - | - | 800 | V |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | - | 1.2 | - | Ω |
    | 输出电容 | COSS | - | - | 800 | pF |
    | 输入电容 | CISS | - | - | 3100 | pF |
    | 反向转移电容 | CRSS | - | - | 490 | pF |
    | 门极电荷 | QG | - | 200 | nC |
    | 门极-源极电荷 | QGS | - | 24 | nC |
    | 门极-漏极电荷 | QGD | - | 110 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 快速开关:低开关损耗,适合高频应用。
    - 重复雪崩额定值:确保在高能量环境下可靠工作。
    - 隔离中央安装孔:便于散热,提升整体可靠性。
    - 简易驱动:降低了电路设计难度。
    - 符合RoHS标准:环保合规,适合全球市场销售。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 在一个典型的工业控制系统中,VBZMB5N80S可以用于电源逆变器模块,其高耐压能力和低导通电阻能够显著减少能源损耗。
    - 在汽车充电桩应用中,其快速响应能力和重复雪崩额定值确保了系统的高可靠性。
    使用建议:
    - 使用时要考虑到工作温度范围(-55°C至150°C),选择合适的散热方式。
    - 设计电路时,要确保输入电压不超过最大额定值(800V)。
    - 考虑到高速开关特性,需要合理布局电路板以减少寄生电感的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:VBZMB5N80S可与其他标准封装的N沟道MOSFET和相关电路板设计兼容。
    - 技术支持:VBsemi提供详尽的技术文档和在线支持,包括详细的电路设计指南和故障排查手册。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常噪音 | 检查电路板布局,确保低寄生电感设计。 |
    | 散热不足导致过温 | 改善散热设计,如增加散热片或使用更高效的散热器。 |
    | 门极驱动信号不稳定 | 确保门极驱动信号源质量,使用高质量的稳压器和滤波器。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    VBZMB5N80S是一款性能优越的N沟道超级结功率MOSFET,具备出色的动态性能和可靠性。它的快速开关特性、重复雪崩额定值以及简单的驱动要求使其成为许多高压应用的理想选择。
    推荐:
    强烈推荐使用VBZMB5N80S,特别是在工业控制、电源转换和汽车电子等领域。如果您对高频、高电压应用有兴趣,这款产品将是您的最佳选择。

VBZMB5N80S参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Id-连续漏极电流 5A
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

VBZMB5N80S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZMB5N80S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZMB5N80S VBZMB5N80S数据手册

VBZMB5N80S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 5.3986
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