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IRLML6402TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P沟道 -20V -5A 43mΩ@-4.5V SOT23-3
供应商型号: 14M-IRLML6402TRPBF SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF概述

    IRLML6402TRPBF-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRLML6402TRPBF-VB 是一款P沟道(Drain-Source电压20V)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它适用于多种应用,如负载开关、功率放大器开关和直流-直流转换器。该MOSFET具备出色的热阻特性、低导通电阻和高可靠性,能够提供高效的电流控制能力。

    技术参数


    - Drain-Source电压 (VDS):最大值为-20V
    - Gate-Source电压 (VGS):±12V
    - 连续漏极电流 (ID):最大值为-4A(当环境温度为25°C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最大值为-10A
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):最大值为-10μA(在55°C下)
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10V时,最大值为0.060Ω
    - VGS = -4.5V时,最大值为0.065Ω
    - VGS = -2.5V时,最大值为0.080Ω
    - 栅极电荷 (Qg):
    - VDS = -10V,VGS = -10V时,典型值为10nC
    - VDS = -10V,VGS = -2.5V时,典型值为6.4nC
    - 栅源电荷 (Qgs):1.7nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):3.4nC
    - 反向传输电容 (Crss):155pF
    - 门电阻 (Rg):最大值为4.4Ω(频率为1MHz)

    产品特点和优势


    IRLML6402TRPBF-VB 具备以下特点和优势:
    - 高可靠性:符合RoHS指令,无卤素
    - 高效性:具有非常低的导通电阻(RDS(on)),保证在各种条件下高效运行
    - 快速响应时间:总栅极电荷(Qg)低,有助于快速开关
    - 温度范围广:工作温度范围为-55°C至150°C,适用性强
    - 集成栅极驱动电阻:有助于简化电路设计

    应用案例和使用建议


    该MOSFET可以用于多种应用场合,如负载开关和电源管理。例如,在负载开关应用中,IRLML6402TRPBF-VB 可以有效地控制大电流,确保电源稳定可靠。在使用过程中,需要注意以下几点:
    - 确保栅极电压不超过额定值,避免损坏MOSFET。
    - 考虑到温度影响,建议在高负载情况下增加散热措施,以保持稳定的性能。

    兼容性和支持


    IRLML6402TRPBF-VB 与多种标准SOT-23封装的元器件兼容,适用于广泛的应用环境。制造商提供技术支持和服务热线(400-655-8788),以便用户获取详细的安装指南和技术支持。

    常见问题与解决方案


    以下是常见的问题及解决方案:
    1. 问题:栅极电压超出限制
    - 解决方案:确保所有连接都正确无误,使用合适的栅极电阻进行保护。
    2. 问题:过高的温度导致性能下降
    - 解决方案:增加散热措施,如添加散热片或风扇,确保良好的散热条件。
    3. 问题:负载电流过大
    - 解决方案:选择合适的功率等级,确保MOSFET能承受预期的工作电流。

    总结和推荐


    IRLML6402TRPBF-VB 在性能、可靠性和成本效益方面表现出色,特别适合需要高效电流控制的应用。其高效率、低导通电阻和广泛的温度范围使其成为众多工业和消费电子应用的理想选择。强烈推荐该产品用于各种高压和高温环境下的应用。

IRLML6402TRPBF参数

参数
Vgs-栅源极电压 12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 835pF@10V
配置 -
栅极电荷 7.8nC@ 4.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 43mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 5A
最大功率耗散 2.5W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRLML6402TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLML6402TRPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF数据手册

IRLML6402TRPBF封装设计

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