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NTD3055-094T4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: NTD3055-094T4G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD3055-094T4G

NTD3055-094T4G概述

    NTD3055-094T4G-VB MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTD3055-094T4G-VB 是一款由VBsemi生产的N沟道60V(漏-源)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET广泛应用于DC/DC转换器、DC/AC逆变器及电机驱动等领域,具有高可靠性、高性能和多功能性的特点。

    2. 技术参数


    以下是NTD3055-094T4G-VB的关键技术参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏-源电压(VDS) | 60 | V |
    | 漏电流(ID) | 18 | A |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.073 @ VGS = 10 V| Ω |
    | 门-源电压(VGS) | ± 20 | V |
    | 绝对最大漏源电压 | 60 | V |
    | 最大连续漏电流 | 8 | A |
    | 最大脉冲漏电流 | 25 | A |
    | 栅极-源极泄漏电流 | ± 250 | nA |
    | 转导电容(Ciss) | 6 | pF |
    | 输出电容(Coss) | 85 | pF |
    | 反向传输电容(Crss) | 40 | pF |
    | 总栅极电荷(Qg) | 19.8 (典型值) | nC |
    | 栅极电阻(Rg) | 0.4 ~ 2 | Ω |
    | 额定热阻(RthJA) | 60 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    NTD3055-094T4G-VB 具有以下独特功能和优势:
    - 高可靠性和耐用性:100% Rg和UIS测试验证。
    - 低导通电阻:RDS(on)仅为0.073Ω(@VGS=10V),降低能耗。
    - 快速开关性能:转导电容和总栅极电荷较小,确保高效的开关操作。
    - 兼容多种应用场景:适用于DC/DC转换器、DC/AC逆变器及电机驱动等多样化场合。

    4. 应用案例和使用建议


    NTD3055-094T4G-VB 主要应用于DC/DC转换器、DC/AC逆变器及电机驱动系统。例如,在电源管理电路中,它能够实现高效稳定的能量转换。对于用户而言,建议注意控制占空比以确保最佳性能,并根据手册中的SOA曲线调整电压等级以适应不同的应用场景。

    5. 兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,适用于各种标准PCB布局。厂商提供详细的技术支持和售后服务,包括详细的使用手册和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:电源电路过热。
    - 解决方法:检查电路设计,确保散热片尺寸合适,并增加散热风扇。

    - 问题:转换效率低下。
    - 解决方法:重新调整电路参数,尤其是Rg值,优化开关速度。

    7. 总结和推荐


    总体来看,NTD3055-094T4G-VB MOSFET凭借其低导通电阻、快速开关性能和高可靠性,在众多应用场景中表现出色。它非常适合需要高效能和可靠性的电源管理应用。强烈推荐在相关项目中使用该产品。如果您有任何疑问或需要进一步的支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

NTD3055-094T4G参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 600pF@30V
Id-连续漏极电流 16.9A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 41.7W
Rds(On)-漏源导通电阻 0.083Ω@VGS = 4.5 V,ID = 6 A
栅极电荷 20nC@ 10V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD3055-094T4G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD3055-094T4G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G数据手册

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