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NTD12N10-1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,15A,RDS(ON),115mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.41Vth(V) 封装:TO-251
供应商型号: 14M-NTD12N10-1G TO-251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD12N10-1G

NTD12N10-1G概述

    NTD12N10-1G-VB N-Channel 100V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTD12N10-1G-VB 是一款 N 沟道 100V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它被广泛应用于电源管理、开关电源、电机驱动和其他需要高效能、高可靠性功率转换的应用场景。此产品具备出色的热稳定性、低导通电阻(RDS(on))以及优异的耐温性能,是高性能电力电子设计的理想选择。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | 100 | - | - | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | - | 2.0 | - | V |
    | 栅体泄漏电流 | IGSS | - | ±100 | - | nA |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | - | 1 | - | µA |
    | 导通状态下漏极电流 | ID(on) | 15 | - | - | A |
    | 导通状态下漏源极电阻 | RDS(on) | 0.06 | 0.115 | 0.230 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 892 | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | 110 | - | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 70 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 20 | - | 25 | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | 5.5 | - | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | 7 | - | - | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 高耐温性:支持高达 175°C 的结温,适用于极端温度环境下的应用。
    - 耐用性测试:所有样品均通过 100% Rg 测试,确保产品质量。
    - 快速开关性能:具备快速的开关时间,能够显著提高系统效率。
    - 低导通电阻:导通电阻低至 0.06Ω,适用于需要高效率能量转换的应用场景。
    - 良好的热稳定性:热阻抗较低,确保长期运行时的稳定性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理:适合于各种开关电源的设计,能够有效减少功耗并提升效率。
    - 电机驱动:在电机控制应用中,可以实现精确的控制和高效的驱动。
    - 安全应用:高耐温性和可靠性使其适用于需要高度稳定性的应用场合。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,建议对散热进行充分考虑,以避免过热影响性能。
    - 为提高系统的整体效率,可以选择合适的栅极电阻,优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 适用于多种标准封装形式,便于与其他电子元件进行集成。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术支持和维护服务,帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:温度过高导致器件失效。
    - 解决方案:采用适当的散热措施,如散热片或散热风扇。
    - 问题 2:导通电阻不稳定。
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确保符合应用要求。
    - 问题 3:驱动信号不稳定。
    - 解决方案:优化栅极电阻的选择,确保稳定的驱动信号。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NTD12N10-1G-VB 是一款具备高性能和高可靠性的 N 沟道 MOSFET。其出色的耐温性、低导通电阻以及优异的开关性能使其成为电力电子设计的理想选择。我们强烈推荐在需要高效率和高可靠性的应用中使用该产品。
    联系信息:
    - 客服热线:400-655-8788
    - 官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)
    通过本手册的详细介绍,希望用户能够更好地理解和使用这款高性能 MOSFET。

NTD12N10-1G参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 15A
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@ 10V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NTD12N10-1G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD12N10-1G数据手册

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