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IXTP98N075T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 80V 80A 6.5mΩ@10V TO-220AB
供应商型号: 14M-IXTP98N075T TO-220AB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTP98N075T

IXTP98N075T概述

    IXTP98N075T-VB N-Channel 80V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IXTP98N075T-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 采用 TrenchFET® 技术制造,具有高可靠性,广泛应用于各种电源管理和控制领域,如主开关、同步整流、DC/AC逆变器和LED背光驱动等。

    技术参数


    以下是 IXTP98N075T-VB 的关键技术参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 漏源电压 (VDS): 80V
    - 连续漏极电流 (ID): 28.6A (Tc = 25°C), 24.9A (Tc = 70°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 350A (t = 100μs)
    - 最大耗散功率 (PD): 180W (Tc = 25°C), 120W (Tc = 70°C)
    - 典型规格 (TJ = 25°C):
    - 导通电阻 (RDS(on)): 7mΩ (VGS = 10V, ID = 20A)
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2.0 ~ 3.5V
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): ≤1μA (VDS = 80V, VGS = 0V)
    - 门电荷 (Qg): 35.5nC (VDS = 40V, VGS = 10V)
    - 热阻:
    - 结至环境热阻 (RthJA): 15°C/W (t ≤ 10s)
    - 结至外壳热阻 (RthJC): 0.85°C/W

    产品特点和优势


    IXTP98N075T-VB 的独特之处在于其高效的 TrenchFET® 技术,这使得其具有非常低的导通电阻和高电流能力,从而能显著降低损耗并提高整体系统效率。此外,该器件经过100%的栅极电阻和雪崩耐受测试,确保了其高可靠性和长期稳定性。

    应用案例和使用建议


    IXTP98N075T-VB 在多种应用场景中表现出色,例如在电源转换器、同步整流器及LED驱动器中的表现尤为突出。使用时应注意散热设计,特别是在高负载条件下,以避免过热。
    建议使用中采取适当的散热措施,如安装在具有良好散热能力的散热片上,以确保其在高电流工作条件下的稳定运行。

    兼容性和支持


    该产品采用标准 TO-220AB 封装,与市场上大多数现有的散热解决方案兼容。VBsemi 提供详尽的技术支持,包括产品认证、样品申请和技术咨询服务,帮助客户更好地利用这一高效功率器件。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 该器件是否适用于高温环境?
    - 解答: 该器件可承受-55°C到150°C的工作温度范围,但实际应用中应考虑适当散热措施以防止过热。
    2. 问题: 如何正确测试该器件的雪崩耐受能力?
    - 解答: 使用合适的测试电路,在控制条件下进行脉冲雪崩测试,确保测试条件符合制造商的规格要求。

    总结和推荐


    总体而言,IXTP98N075T-VB 作为一款高性能的 N 沟道 MOSFET,以其低导通电阻、高可靠性和广泛应用潜力而备受推崇。对于需要高效率和稳定性的电源管理设计,这款器件是一个理想选择。强烈推荐在相关应用中使用此产品,特别是当需要兼顾性能与成本效益时。
    如需进一步咨询或技术支持,可联系 VBsemi 客服热线:400-655-8788。

IXTP98N075T参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6.5mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 80A
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTP98N075T厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTP98N075T数据手册

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