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VBZA4611

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN+P沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.9Vth(V) 封装:SOP8可用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备领域。
供应商型号: 14M-VBZA4611 SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZA4611

VBZA4611概述


    产品简介


    N-和P-通道60V(D-S)MOSFET 是一款高性能的功率MOSFET器件,采用了先进的TrenchFET技术。这些器件主要设计用于冷阴极荧光灯逆变器(CCFL Inverter)等领域。作为卤素-free产品,它们完全符合IEC 61249-2-21标准,适用于现代电子产品对环保和可靠性的高要求。

    技术参数


    | 参数 | N-Channel(典型值) | P-Channel(典型值) |
    |
    | VDS(漏源电压) | 60 V | -60 V |
    | RDS(on)(导通电阻) | 0.026 Ω(VGS=10V) | 0.055 Ω(VGS=-10V) |
    | ID(连续漏极电流) | 5.3 A(TC=25℃) | -4.9 A(TC=25℃) |
    | Qg(总栅极电荷) | 6 nC(VDS=30V) | 8 nC(VDS=-30V) |
    其他关键特性包括:绝对最大额定值(如漏源电压、栅源电压、脉冲漏极电流等),以及动态参数如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

    产品特点和优势


    1. 环保设计:Halogen-Free材料保证了产品的环境友好性,符合欧盟RoHS和IEC 61249-2-21标准。
    2. 卓越性能:采用TrenchFET技术实现低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),显著提升能效。
    3. 可靠性保障:所有器件均经过100%的Rg和UIS测试,确保高度可靠性。
    4. 广泛应用:特别适合用于冷阴极荧光灯逆变器及需要高效能开关的电路设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 冷阴极荧光灯(CCFL)逆变器:通过高效能的开关控制实现稳定照明。
    - 电池管理系统:在新能源汽车和其他便携式电子设备中发挥重要作用。
    使用建议:
    1. 确保VGS电压在安全范围内操作,避免超过额定值导致击穿。
    2. 设计散热系统以应对高电流运行时产生的热量,特别是对于长时间连续工作的情况。
    3. 在高频率应用中需考虑开关损耗优化策略,例如减少总栅极电荷Qg。

    兼容性和支持


    本产品兼容主流SO-8封装形式,与多种外围电路模块具有良好的互操作性。厂商提供全面的技术文档支持,并设有24小时服务热线(400-655-8788),可为客户提供快速响应和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 调整栅极驱动电阻,降低Qg值以提高开关速度。 |
    | 温度过高 | 添加散热片或采用强制风冷方式改善热管理。 |
    | 导通电阻增大 | 检查VGS是否达到阈值,调整至合适的工作点。 |

    总结和推荐


    VBZA4611系列N-和P-通道60V MOSFET以其出色的导通电阻(RDS(on))、低功耗以及优异的可靠性,在众多应用场合展现出强大的竞争力。无论是CCFL逆变器还是电池管理系统,它都提供了理想的解决方案。建议在需要高效能开关管的设计中优先选择此款产品。
    推荐指数:★★★★★(5/5)

VBZA4611参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 ±60V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.9V
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 6.5A,5A
通道数量 -
FET类型 N+P沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZA4611厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZA4611数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZA4611 VBZA4611数据手册

VBZA4611封装设计

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