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IPP60R165CP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-IPP60R165CP TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP60R165CP

IPP60R165CP概述

    IPP60R165CP-VB 技术手册

    1. 产品简介


    IPP60R165CP-VB 是一款来自VBsemi公司的650V耐压N沟道超级结MOSFET。这种类型的MOSFET在各种高电压和高功率应用中具有广泛的应用,特别是在电信、工业、照明、消费电子和可再生能源领域。它具备出色的开关特性和低导通电阻,使其成为电源转换应用的理想选择。

    2. 技术参数


    | 参数 | 规格 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(TJ最大) | 650 | V |
    | 漏源导通电阻(25°C) | 0.19 | Ω |
    | 最大连续漏极电流 | 2 | A |
    | 脉冲漏极电流(重复) | 60 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | 367 | mJ |
    | 最大功耗 | 208 | W |
    | 输入电容(典型值) | 2322 | pF |
    | 输出电容(典型值) | 105 | pF |
    | 总栅极电荷(典型值) | 71 | nC |
    | 栅源电荷(典型值) | 14 | nC |
    | 栅漏电荷(典型值) | 33 | nC |
    | 反向恢复时间(典型值) | 160 | ns |
    | 反向恢复电荷(典型值) | 1.2 | μC |
    | 开关延迟时间(典型值) | 22 | ns |
    | 关断延迟时间(典型值) | 68 | ns |
    | 关断上升时间(典型值) | 34 | ns |

    3. 产品特点和优势


    - 低反向恢复时间(trr)和反向恢复电荷(Qrr):这有助于降低开关损耗,提升效率。
    - 低总栅极电荷(Qg):减少驱动所需的能量,简化驱动电路设计。
    - 低输入电容(Ciss):降低驱动电路所需的能量,减少寄生效应。
    - 高重复性雪崩能量(UIS):增强产品的可靠性和耐用性。
    - 低导通电阻(RDS(on)):在高电流应用中实现更低的功率损耗。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电信电源供应(服务器和通信设备)
    - 照明(高强度放电灯、荧光灯)
    - 消费电子和计算设备(ATX电源)
    - 工业应用(焊接设备、电池充电器)
    - 新能源(太阳能光伏逆变器)
    - 开关模式电源(SMPS)
    使用建议:
    - 在设计开关电源时,需注意栅极驱动电路的设计,确保足够的驱动能量以满足开关速度要求。
    - 针对高可靠性需求的应用,考虑采用热沉设计以提高散热效果。
    - 在高压应用中,需关注过压保护措施,以防止器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    IPP60R165CP-VB MOSFET 适用于多种工业标准封装,如 TO-220AB。该产品与市面上大多数主流控制器兼容,简化系统集成过程。VBsemi提供全面的技术支持,包括详细的用户手册、设计指南和技术咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 优化散热设计,增加热沉 |
    | 电源电压不稳定导致工作异常 | 添加稳压电路 |
    | 电路板上的寄生电感导致EMI干扰 | 优化电路板布局,降低寄生电感 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    IPP60R165CP-VB MOSFET是一款高性能的N沟道超级结MOSFET,具备低导通电阻、低开关损耗、高雪崩耐受能力和良好的热稳定性。这些特性使得它在电信、工业、照明和新能源等领域的电源转换应用中表现出色。
    推荐:
    鉴于其优异的性能和广泛的适用范围,我们强烈推荐IPP60R165CP-VB MOSFET用于需要高效、可靠的高功率转换应用中。其独特的技术优势使其成为众多应用的理想选择。

IPP60R165CP参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP60R165CP厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP60R165CP数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP60R165CP IPP60R165CP数据手册

IPP60R165CP封装设计

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