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ZVN4106FTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 60V 0.25A 2.8Ω@10V SOT-23
供应商型号: 14M-ZVN4106FTA SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZVN4106FTA

ZVN4106FTA概述

    ZVN4106FTA-VB MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ZVN4106FTA-VB 是一种低压 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 VBsemi 公司制造。它广泛应用于直接逻辑电平接口(如 TTL/CMOS)、驱动器(如继电器、电磁铁、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等)和电池供电系统等领域。这款 MOSFET 具有低栅极阈值电压、低输入泄漏电流和高开关速度等特点,使其成为高精度电路的理想选择。

    2. 技术参数


    - 工作电压: 最大漏源电压 (VDS) 为 60 V。
    - 最大栅源电压 (VGS): ± 20 V。
    - 连续漏极电流 (ID): 250 mA(TA = 25°C);150 mA(TA = 100°C)。
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 800 mA(TA = 25°C)。
    - 功率耗散 (PD): 0.30 W(TA = 25°C);0.13 W(TA = 100°C)。
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 350°C/W。
    - 工作和存储温度范围: -55°C 至 150°C。
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 60 V(VGS = 0 V, ID = 10 μA)。
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)): 1 V 至 2.5 V(VDS = 0 V, VGS = 0 V)。
    - 栅极-体泄漏 (IGSS): ± 10 μA(VDS = 0 V, VGS = ± 20 V)。
    - 动态参数:
    - 总栅极电荷 (Qg): 0.4 nC 至 0.6 nC(ID = 150 mA)。
    - 输入电容 (Ciss): 25 pF(VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)。
    - 输出电容 (Coss): 5 pF。
    - 反向转移电容 (Crss): 2.0 pF。
    - 开关时间 (td(on), td(off)): 20 ns 和 30 ns。

    3. 产品特点和优势


    ZVN4106FTA-VB 具有以下显著特点和优势:
    - 低栅极阈值电压:2 V(典型值),便于驱动且降低了功耗。
    - 低输入电容:25 pF,提高了信号处理速度。
    - 快速开关速度:25 ns,适合高频应用。
    - 低输入和输出泄漏:保证了高可靠性。
    - TrenchFET® 技术:提供了更高的性能和更小的尺寸。
    - 符合 RoHS 标准:无铅设计,环保且符合行业标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 直接逻辑电平接口:适用于 TTL/CMOS 接口,可作为开关控制单元。
    - 驱动器应用:适用于各种驱动器,如继电器、电磁铁、灯等,确保高效能驱动。
    - 电池供电系统:由于低功耗和紧凑尺寸,非常适合用于便携式设备。

    使用建议:
    - 在使用过程中应注意栅极驱动电压不要超过最大允许值。
    - 避免长时间处于高功率状态,以免影响可靠性。
    - 确保良好的散热措施以防止过热。

    5. 兼容性和支持


    ZVN4106FTA-VB 支持多种应用场景,并具有良好的兼容性。制造商提供详细的技术支持和售后服务,客户可以随时通过服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免损坏?
    - A: 确保在使用过程中不要超过绝对最大额定值,并遵循制造商的指导。
    - Q: 开关频率过高导致发热问题如何解决?
    - A: 使用散热器或其他冷却装置,确保良好的散热条件。
    - Q: 怎样确定栅极电压?
    - A: 根据具体应用需求选择合适的栅极电压,通常为 4.5 V 或 10 V。

    7. 总结和推荐


    总体而言,ZVN4106FTA-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有低功耗、快速响应和高可靠性等优点。对于需要高精度控制的应用场合,如直接逻辑电平接口和电池供电系统,这款产品是一个理想的选择。强烈推荐使用。
    希望这份报告对您有所帮助!如果您有任何其他需求或疑问,请随时联系我们。

ZVN4106FTA参数

参数
通道数量 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
Id-连续漏极电流 250mA
Rds(On)-漏源导通电阻 2.8Ω@10V,0.25A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 25pF
最大功率耗散 0.3mW
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 0.6nC
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

ZVN4106FTA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZVN4106FTA数据手册

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ZVN4106FTA封装设计

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