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VBFB1208N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,30A,RDS(ON),56mΩ@10V,20Vgs(±V);3.3Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: 14M-VBFB1208N TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBFB1208N

VBFB1208N概述

    # N-Channel 200V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 200V (D-S) MOSFET 是一款高可靠性的功率场效应晶体管(Power MOSFET),专为PWM(脉宽调制)设计优化。这款器件采用TrenchFET技术制造,能够在广泛的温度范围内正常工作,并且符合RoHS标准。其主要功能包括作为初级侧开关的应用场景,适用于各种需要高效能和稳定性的电子设备。

    技术参数


    基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 200V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最大连续漏电流 (ID):
    - TC = 25°C 时:25A
    - TC = 125°C 时:17A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 60A
    - 最大输出源电流 (IS): 19A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 25A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 18mJ
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C 时:145W
    - TA = 25°C 时:3.5W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 175°C
    热阻参数
    - 结点到环境热阻 (RthJA):
    - 瞬态:15°C/W 至 18°C/W
    - 稳态:40°C/W 至 50°C/W
    - 结点到外壳(漏端)热阻 (RthJC): 0.85°C/W 至 1.1°C/W

    产品特点和优势


    1. TrenchFET技术:采用了先进的TrenchFET工艺,具有更低的导通电阻,提高了整体效率。
    2. 高温性能:能够在高达175°C的结温下正常工作,非常适合在恶劣环境中使用。
    3. PWM优化:专门针对PWM应用进行优化,能够有效降低开关损耗,提高系统的能效。
    4. 100% Rg测试:每个产品均经过栅极电阻的全面测试,确保性能一致性。
    5. RoHS合规:符合RoHS指令,适合环保要求严格的市场需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    N-Channel 200V MOSFET 可以应用于多种电路中,如电源转换、电机驱动和照明系统。在这些应用场景中,它可以作为初级侧开关,实现高效的电力转换和控制。
    使用建议
    1. 散热管理:由于MOSFET在高电流下工作时会产生大量热量,因此需要有效的散热措施,如使用散热片或散热风扇。
    2. 过流保护:为了防止因过流导致的损坏,在电路设计中加入适当的过流保护机制。
    3. PWM信号:在PWM信号的配置上,确保频率和占空比适合实际应用需求,避免过高的开关损耗。

    兼容性和支持


    此产品采用TO-251封装,与大多数常见的PCB装配工艺兼容。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中得到必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 启动延迟时间长:如何减少?
    - 解决方案:检查门极电阻设置,适当降低电阻值。
    2. 散热不良导致过热:如何处理?
    - 解决方案:增加散热器的面积,或者使用更高效的散热材料。

    总结和推荐


    综合评估
    N-Channel 200V MOSFET 在可靠性、高温性能、PWM优化等方面表现出色,非常适用于电力转换和控制领域。结合其良好的市场表现和厂家的支持,推荐给那些需要高性能MOSFET的工程师和设计师们。

VBFB1208N参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.3V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 30A
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 56mΩ@ 10V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBFB1208N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBFB1208N数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBFB1208N VBFB1208N数据手册

VBFB1208N封装设计

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