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WPM2015-3/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 31M-WPM2015-3/TR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WPM2015-3/TR

WPM2015-3/TR概述

    WPM2015-3TR-VB P-Channel 20-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    WPM2015-3TR-VB 是一款 P 沟道 20V(漏源极电压)的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 主要用于负载开关和功率放大器开关的应用中,同时也可以在直流到直流转换器中使用。该器件的特点是低导通电阻和高可靠性,适用于多种电子设备和系统中。

    2. 技术参数


    - 漏源极电压 (VDS): 最大值为 20V。
    - 连续漏电流 (ID): 在 25°C 下最大值为 -4A;在 70°C 下最大值为 -3.2A。
    - 脉冲漏电流 (IDM): 最大值为 -10A。
    - 连续源漏极二极管电流 (IS): 在 25°C 下最大值为 -2.5A。
    - 最大功耗 (PD): 在 25°C 下为 2.5W;在 70°C 下为 1.6W。
    - 结温范围 (TJ): -55°C 至 150°C。
    - 热阻抗 (RthJA): 从结点到环境的最大值为 100°C/W。
    - 阈值电压 (VGS(th)): 最小值为 -0.5V,典型值为 -1.5V。
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): 最大值为 -10µA。
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = -10V,ID = -3A 时,最小值为 0.060Ω;
    - 在 VGS = -4.5V,ID = -2.5A 时,最小值为 0.065Ω;
    - 在 VGS = -2.5V,ID = -2A 时,最小值为 0.080Ω。
    - 输入电容 (Ciss): 在 VDS = -10V,VGS = 0V 时,最大值为 835pF。
    - 输出电容 (Coss): 在 VDS = -10V,VGS = -4.5V 时,最大值为 180pF。
    - 反向传输电容 (Crss): 在 VDS = -10V,VGS = -4.5V 时,最大值为 155pF。
    - 总栅极电荷 (Qg): 在 VDS = -10V,ID = -3.1A 时,典型值为 10nC。

    3. 产品特点和优势


    WPM2015-3TR-VB MOSFET 具有以下显著特点和优势:
    - 无卤素: 符合 IEC 61249-2-21 定义标准。
    - TrenchFET® 功率 MOSFET: 结构设计先进,确保高效的电流控制和低损耗。
    - 100% 测试: 每个器件都经过 Rg 测试,保证高可靠性。
    - 符合 RoHS 指令: 确保无铅化和环保要求。
    这些特点使该 MOSFET 在负载开关、PA 开关和直流到直流转换器等应用中表现出色,能够提供高效、可靠的电力管理解决方案。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关: 在电源管理系统中,用于控制电流流动。
    - PA 开关: 在射频电路中,用于控制功率放大器的工作状态。
    - 直流到直流转换器: 用于不同电压等级之间的电力转换。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,确保散热良好,避免器件过热。
    - 针对特定应用的电流需求,选择合适的 VGS 值以获得最佳性能。
    - 使用适当的 PCB 设计,确保引脚布局合理,减少寄生效应。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: WPM2015-3TR-VB 与各种标准 PCB 尺寸兼容,可轻松集成到现有设计中。
    - 支持: 厂商提供了详尽的技术文档和应用指南,帮助用户解决安装和调试过程中的问题。此外,还有专业服务热线(400-655-8788),随时解答用户的疑问和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定合适的 VGS 值?
    - 解决方案:根据应用需求,选择 VGS = -4.5V 或 -10V,确保达到所需的电流和电阻特性。
    2. 问:在高功率应用中,如何有效散热?
    - 解决方案:使用外部散热片或其他散热装置,确保器件温度不超过最大允许值。
    3. 问:如何测试 MOSFET 的漏极电流?
    - 解决方案:使用万用表或专用仪器,连接漏极和源极,测量电流值,确保其在规定范围内。

    7. 总结和推荐


    WPM2015-3TR-VB MOSFET 是一款高可靠性、高性能的产品,适合在多种电力管理和控制应用中使用。其低导通电阻和先进的结构设计使其在效率和性能方面具有明显优势。推荐给需要高性能电力控制解决方案的设计工程师和制造商。

WPM2015-3/TR参数

参数
最大功率耗散 2.5W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5A
Vgs-栅源极电压 12V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 43mΩ@4.5V
栅极电荷 9.6nC@ 4.5V
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

WPM2015-3/TR厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WPM2015-3/TR数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WPM2015-3/TR WPM2015-3/TR数据手册

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