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VBZA4430

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性: - 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。 - 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。 - 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。 - 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。 - 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。 - 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。 - 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
供应商型号: VBZA4430 SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZA4430

VBZA4430概述


    产品简介


    型号:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    该N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款适用于笔记本CPU核心的高侧同步整流操作的功率器件。它具有多种独特的功能和技术优势,适合广泛的应用领域,如电源管理、通讯设备和消费电子产品等。

    技术参数


    - 关键参数:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30V
    - 漏电流 \( ID \) (TC = 25°C): 18A
    - 门极电荷 \( Qg \) (Typ.): 6.8 nC

    - 电气特性:
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ± 20V
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 30V
    - 零栅电压漏电流 \( I{DSS} \): 1μA (VDS = 30V)

    - 工作环境:
    - 存储温度范围 \( T{stg} \): -55°C to 150°C
    - 绝对最大结温 \( T{J} \): 150°C
    - 热阻 \( R{thJA} \): 38°C/W (最大)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:0.004Ω(\( V{GS} = 10V \)),0.005Ω(\( V{GS} = 4.5V \))
    - 优化的高侧同步整流操作:适用于高效率的电源转换
    - 抗卤素设计:满足RoHS标准,无卤素
    - 100%测试:确保产品质量,通过100%的栅极电阻测试和单脉冲雪崩测试

    应用案例和使用建议


    - 笔记本CPU核心高侧开关:可以有效提升电源管理系统的效率和可靠性。
    - 建议配置:在笔记本电脑的设计中,建议选择合适的电路布局以降低热阻,提高散热效果。例如,增加铜箔面积,选用高效散热材料。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此款MOSFET为SO-8封装,与其他常见的表面贴装设备具有良好的兼容性,可直接替换。
    - 支持:制造商提供详细的文档和支持服务,如安装指南和技术支持热线(400-655-8788),帮助客户解决使用中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:器件过热导致性能下降
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热片或改善气流以减少热阻。
    - 问题:开关频率过高导致性能不稳定
    - 解决方案:调整电路参数,适当降低开关频率,优化驱动电路。

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 30-V MOSFET凭借其出色的性能和广泛的适用性,在电源管理和其他需要高效率转换的应用场景中表现出色。其低导通电阻、抗卤素设计和全面的测试保证了长期稳定可靠的工作。对于追求高性能和可靠性的设计者来说,这是一款值得推荐的产品。

VBZA4430参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 18A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

VBZA4430厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZA4430数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZA4430 VBZA4430数据手册

VBZA4430封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.6525
100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
4000+ ¥ 1.4077
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