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VBM1202N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220;N—Channel沟道,200V;80A;RDS(ON)=0.017Ω@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=2-4V;
供应商型号: VBM1202N TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM1202N

VBM1202N概述


    产品简介


    N-Channel 200V MOSFET
    N-Channel 200V MOSFET是一款由VBsemi公司生产的高性能功率MOSFET。该产品采用ThunderFET®技术,具有出色的热稳定性,适用于各种高要求的电力转换应用。
    主要功能
    - 高温运行能力:最大结温可达175℃
    - 高可靠性:100%测试了Rg和UIS
    应用领域
    - 电源管理:不间断电源(UPS)、AC/DC开关模式电源、照明系统
    - 同步整流
    - 直流转换器
    - 电机驱动开关
    - 直流逆变器和太阳能微型逆变器
    - Class D音频放大器

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 VDS | - | - | 200 | V |
    | 门源电压 VGS | ±20 | - | - | V |
    | 漏极连续电流 ID (TJ = 150 °C) | - | 80 (TC = 25 °C), 65 (TC = 70 °C) | - | A |
    | 脉冲漏极电流 IDM | - | - | 240 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 IAS | - | - | 60 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 EAS | - | - | 180 | mJ |
    | 最大功率耗散 PD (TC = 25 °C) | - | - | 375 | W |
    其他详细技术参数如下:
    - 输出特性:在不同电压和电流条件下的VDS和ID关系
    - 电容特性:输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss
    - 动态参数:总栅极电荷Qg、门源电荷Qgs、门漏电荷Qgd、栅极电阻Rg

    产品特点和优势


    独特功能
    - 高温度耐受能力:结温高达175℃,适合极端环境下使用。
    - 100% Rg和UIS测试:确保产品可靠性。
    - 雷击FET®技术:提供高效的能量处理能力。
    市场竞争力
    - 高效能:出色的散热性能使其在各种应用场景下都能保持高效。
    - 高可靠性:经过严格的测试,能够在长时间使用下保持稳定性能。

    应用案例和使用建议


    典型应用
    - 在不间断电源(UPS)系统中,该MOSFET可以确保电源供应的连续性和稳定性。
    - 在太阳能微型逆变器中,用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,提供清洁且可靠的能源。
    使用建议
    - 确保安装在合适的PCB上,以实现最佳的散热效果。
    - 在设计电路时,考虑电流和电压波动的影响,以避免超过额定极限。
    - 仔细阅读数据手册中的SOA曲线,根据不同的电压和电流条件进行相应的电压降额操作。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该产品可与多种电源管理和控制电路兼容,适用于各种直流转换器和逆变器系统。
    - 适用尺寸为1英寸平方的PCB(FR4材料)。
    厂商支持
    - 厂商提供了详尽的技术支持和客户服务,包括技术文档、应用指南和在线支持。
    - 用户可以通过服务热线400-655-8788获取帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致设备故障 | 确保正确安装散热片并使用合适的PCB |
    | 工作电流超出额定值 | 减少负载电流或增加散热措施 |
    | 电路不稳定 | 检查连接线是否牢固,重新焊接或更换连接线 |

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:
    - 高温耐受能力
    - 高可靠性和稳定性
    - 适用于广泛的电力转换应用
    - 缺点:
    - 价格可能略高于同类产品
    - 需要良好的散热设计
    推荐
    - 强烈推荐N-Channel 200V MOSFET用于需要高可靠性和高温耐受能力的应用场合。其卓越的性能和广泛的应用范围使其成为市场上极具竞争力的产品之一。

VBM1202N参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-220

VBM1202N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM1202N数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBM1202N VBM1202N数据手册

VBM1202N封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 9.3285
100+ ¥ 8.6375
500+ ¥ 7.9465
1000+ ¥ 7.601
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
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