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FDMA6023PZT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.1A,RDS(ON),38mΩ@10V,42mΩ@4.5V,12Vgs(±V);-0.7Vth(V);DFN6(2X2)
供应商型号: 14M-FDMA6023PZT QFN6(2X2)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDMA6023PZT

FDMA6023PZT概述

    FDMA6023PZT-VB Dual P-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDMA6023PZT-VB 是一款高性能的双沟道P通道30V(漏极到源极)MOSFET晶体管,采用TrenchFET®技术制造,适用于便携式电池开关和负载开关等领域。其主要特点包括环保无卤素设计(符合IEC 61249-2-21标准),并且通过创新的New Low Thermal Resistance PowerPAK®封装技术提高了热性能和效率。该产品广泛应用于便携式电子设备中,作为电源管理的重要组件。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | -30 | -30 | -30 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | ±20 | ±20 | V |
    | 连续漏极电流(Ta=25°C) | ID | -5.4 | -3.8 | -3.8 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | -20 | -20 | -20 | A |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | 0.038 | 0.038 | 0.060 | Ω |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | -1 | -5 | -5 | µA |
    | 热阻抗(稳态,结到环境) | RthJA | 35 | 44 | 44 | °C/W |
    | 工作温度范围 | TJ 和 Tstg | -55 | 150 | 150 | °C |
    注:以上为典型值,具体参数需根据实际应用场景进行验证。

    3. 产品特点和优势


    FDMA6023PZT-VB 的核心优势在于其卓越的热性能和高效的功率转换能力:
    - 使用TrenchFET®技术,显著降低导通电阻,提高效率;
    - 创新的PowerPAK®封装提供更低的热阻抗,适合高功率密度设计;
    - 符合RoHS和无卤素要求,满足绿色环保需求;
    - 低静态电流消耗和高开关频率能力,确保便携式设备长时间高效运行。
    这些特性使其成为便携式设备电源管理的理想选择,在便携式电池开关和负载开关场景中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    FDMA6023PZT-VB 在以下应用场景中表现出色:
    - 电池开关:用于控制电池的通断,提升设备的能效;
    - 负载开关:支持快速响应和低功耗操作。
    使用建议:
    - 为了实现最佳性能,建议使用推荐的PCB布局设计(见技术手册附图)以优化散热效果;
    - 注意电路设计时避免超过绝对最大额定值,以确保长期稳定运行;
    - 在高电流场景中,建议加入外部散热片来进一步降低热效应。

    5. 兼容性和支持


    FDMA6023PZT-VB 具有良好的兼容性,可以与多种电源管理芯片和控制器配合使用。VBsemi 提供全面的技术支持和售后保障,包括样品申请、设计咨询和技术文档下载等服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 晶体管过热 | 增加散热片,优化PCB布局设计 |
    | 开关时间异常 | 检查栅极驱动电路是否正常 |
    | 漏电流过大 | 确保栅极-源极电压满足规范要求 |

    7. 总结和推荐


    FDMA6023PZT-VB 是一款高性能、高可靠性的P通道MOSFET晶体管,特别适合便携式电池开关和负载开关场景。其卓越的热性能、环保设计和易用性使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在需要高效电源管理的便携式设备中使用这款产品。
    如果您正在寻找能够平衡性能与成本的MOSFET解决方案,FDMA6023PZT-VB 绝对是您的理想选择!

FDMA6023PZT参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通道数量 2
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.18nF
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 1.5W
长*宽*高 2.05mm(长度)*2.05mm(宽度)
通用封装 QFN-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDMA6023PZT厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDMA6023PZT数据手册

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FDMA6023PZT封装设计

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