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UD3013

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-40A,RDS(ON),18mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-UD3013 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UD3013

UD3013概述

    UD3013-VB P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UD3013-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET,采用先进的 TrenchFET® 技术设计,适用于低导通电阻和高效率的应用需求。作为一款高性能的功率半导体器件,它被广泛应用于负载开关(Load Switch)和电池开关(Battery Switch)等领域。该器件通过无卤素设计,符合环保标准(IEC 61249-2-21),确保产品在各种工业和消费类应用中的安全性和可靠性。

    技术参数


    以下为 UD3013-VB 的关键技术参数列表:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | -30 V |
    | 源漏导通电阻 | RDS(on) | 0.018 | 0.025 Ω |
    | 持续漏极电流(TJ=150°C) | ID | -40 | -35 | -30 | A |
    | 最大功率耗散(TA=25°C) | PD | 40 W |
    | 最大结到环境热阻 | RthJA | 40 | 50 °C/W |
    | 工作结温范围 | TJ | -55 150 | °C |
    其他动态参数如输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反向传输电容(Crss)、总栅极电荷(Qg)等也提供了详细数值,可满足快速开关需求。

    产品特点和优势


    UD3013-VB 的主要特点和优势如下:
    1. 无卤素环保设计:符合 IEC 61249-2-21 标准,适合绿色环保应用。
    2. 低导通电阻:典型值为 0.018Ω(VGS=-10V),保证高效率电力传输。
    3. 高可靠性测试:100% RG 测试,确保生产质量。
    4. 优异的热性能:最大结到环境热阻为 40°C/W,散热能力强。
    5. 紧凑封装:TO-252 封装结构便于安装,节省空间。
    这些特性使 UD3013-VB 在负载开关和电池管理领域具备强大的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 负载开关:适用于需要快速切换的大功率电路,如工业电源管理系统。
    2. 电池开关:常用于便携式设备中,能够高效控制电池充电和放电路径。
    使用建议:
    - 针对高功率场景,建议增加外部散热片以降低工作温度,提高长期稳定性。
    - 在多路并联应用中,注意匹配器件的特性一致性,避免因参数差异导致的热不均匀分布。
    - 确保栅极驱动电压(VGS)在-10V 至-4.5V 范围内,以实现最佳导通性能。

    兼容性和支持


    UD3013-VB 可与其他常见的 P 沟道 MOSFET 设备直接互换,便于设计替代。VBsemi 提供完善的客户支持服务,包括详尽的技术文档、样片供应以及专业团队的技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:UD3013-VB 的工作温度超出范围。
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,必要时增加外部散热装置,同时优化电路设计减少功耗。
    2. 问题:导通电阻偏高,影响效率。
    - 解决方案:确认 VGS 是否达到最低阈值(通常为-4.5V 或更低),并通过优化驱动电路降低损耗。
    3. 问题:脉冲电流超过额定值。
    - 解决方案:选择更大额定值的产品或限制脉冲宽度,确保不超过绝对最大额定值。

    总结和推荐


    综上所述,UD3013-VB 是一款功能强大且性能稳定的 P 沟道 MOSFET,尤其适合需要高效率、高可靠性的工业及消费级应用。凭借其出色的导通电阻、高效的热管理和环保设计,这款器件在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐给对性能要求较高的工程师和企业用户。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

UD3013参数

参数
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 40A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UD3013厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UD3013数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UD3013 UD3013数据手册

UD3013封装设计

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