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FDMC7660DC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
供应商型号: 14M-FDMC7660DC QFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDMC7660DC

FDMC7660DC概述

    FDMC7660DC-VB N-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDMC7660DC-VB 是一款由台湾 VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产的N-Channel 30V(漏极到源极)MOSFET。这款器件主要用于开关电源、个人电脑、服务器和电信砖块等应用场合。作为第三代TrenchFET® 功率MOSFET,它提供了高可靠性,同时符合RoHS指令2002/95/EC标准,且不含卤素,满足环保要求。

    技术参数


    以下是FDMC7660DC-VB的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 30 | V |
    | 门源电压 | VGS | +20, -16 | - | - | V |
    | 漏极连续电流 | ID | 25.9 | 30.9 | 30 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 80 | A |
    | 源极-漏极体二极管连续电流 | IS | 25 | 40 | - | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | - | - | 20 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 20 | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | - | - | 52 | W |
    | 最高结温 | TJ | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    FDMC7660DC-VB 的关键优势包括:
    - 高耐压等级(30V)。
    - 采用先进的TrenchFET® 第四代技术,确保高可靠性和低导通电阻。
    - 通过100% Rg 和UIS测试,保障质量。
    - 环保设计,符合RoHS和无卤素标准。
    - 支持广泛的温度范围(-55°C至150°C)。
    - 优异的热阻特性(RthJA:24°C/W),确保散热效果好。

    应用案例和使用建议


    FDMC7660DC-VB 广泛应用于各种电力转换系统,例如开关电源、个人电脑和服务器等。针对这些应用场景,建议在选择散热方案时考虑到其最大功率耗散,以保证长期稳定运行。此外,在进行电路设计时,需注意门极驱动信号的设计,以避免超过规定的门源电压极限。

    兼容性和支持


    根据技术手册描述,该产品具备较好的兼容性,适用于现有的多种电路设计。厂商提供详尽的技术支持和维护文档,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备过热导致性能下降?
    解决方案:增加外部散热片或优化散热设计,降低器件的功耗,减少发热。
    2. 问题:启动延迟时间过长?
    解决方案:调整门极电阻值,降低驱动信号的上升时间,以加快启动速度。
    3. 问题:器件出现短路现象?
    解决方案:检查外部电路是否有异常连接或损坏,及时更换故障部件。

    总结和推荐


    综上所述,FDMC7660DC-VB是一款具有高可靠性的N-Channel 30V MOSFET,适合用于需要高耐压和低损耗的应用场合。其独特的技术和广泛的应用范围使其在市场上具有很强的竞争优势。因此,对于那些需要高性能、可靠性和环保特性的电子工程师来说,这是一款值得推荐的产品。

FDMC7660DC参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDMC7660DC厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDMC7660DC数据手册

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FDMC7660DC封装设计

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