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NID9N05ACLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);TO252
供应商型号: 14M-NID9N05ACLT4G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NID9N05ACLT4G

NID9N05ACLT4G概述

    NID9N05ACLT4G-VB MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NID9N05ACLT4G-VB 是一款高性能的 N 沟道增强型 60V (D-S) MOSFET,采用 TrenchFET® 技术,适用于多种高效率电力转换和控制场景。作为一款专为功率电子设计的元件,它具备出色的性能表现和可靠性,广泛应用于以下领域:
    - 直流-直流 (DC/DC) 转换器
    - 直流-交流 (DC/AC) 逆变器
    - 电机驱动系统
    特点说明:
    - 支持脉冲操作,适用于瞬态电流条件下的动态性能。
    - 经过 100% 的栅极电阻(Rg)及雪崩测试(UIS),确保了其耐用性和稳定性。

    2. 技术参数


    以下为核心技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-漏极击穿电压 | VDS | - | 60 | - | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | 3.0 | - | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | 1 | 50 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.073 | 0.085 | - | Ω |
    | 栅极电荷(典型值) | Qg | 19.8 | 30 | - | nC |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 18 | 25 | A |
    | 工作温度范围 | TJ | -55 | 150 | - | °C |
    补充说明:
    - RDS(on) 随栅极电压变化,在 VGS = 4.5V 和 VGS = 10V 时分别提供了不同的典型阻值。
    - 产品基于 TO-252 封装,热阻抗为 RthJA = 60°C/W。

    3. 产品特点和优势


    NID9N05ACLT4G-VB 在性能和功能上的主要亮点如下:
    1. 低导通电阻:典型值为 0.073Ω @ VGS=10V,使得功耗显著降低,适合大电流应用。
    2. 高效开关能力:得益于 TrenchFET® 技术,开关速度更快,能效更高,适用于高频电路。
    3. 优异的抗雪崩能力:通过严格的 UIS 测试,保证了设备在极端条件下的稳定运行。
    4. 卓越的热管理:较低的热阻抗有助于改善散热性能,延长使用寿命。
    这些特性使其在功率变换器和电机驱动器中表现尤为突出。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 在 DC/DC 转换器 中,其低导通电阻特性可以有效减少发热量,提高效率并降低成本。
    - 在 电机驱动 系统中,凭借出色的开关速度和负载适应能力,可以提升驱动效率并简化设计。
    使用建议:
    1. 在设计过程中,需根据实际应用场景选择合适的栅极驱动电压(如 VGS=4.5V 或 10V)。
    2. 使用大面积 PCB 散热板以优化热性能。
    3. 在高频开关操作中,需注意匹配适当的栅极电阻以防止振荡。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 产品与主流的 PCB 布局工具和焊接工艺完全兼容,适用于多种工业标准平台。
    - 具备与其他 VBsemi 系列产品的互操作性,可灵活集成于复杂的电子系统。
    支持与维护:
    制造商提供详尽的技术文档和 24/7 客户服务支持,确保客户快速解决问题并优化设计方案。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些问题及其解决方案:
    1. 问题:设备在高温环境下工作时效率下降。
    解决办法:增加外部散热装置,优化 PCB 布局以加速散热。
    2. 问题:启动时出现异常电流波动。
    解决办法:检查栅极驱动电路,确保 Rg 设置合理以避免过冲现象。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    NID9N05ACLT4G-VB 是一款在性能和性价比上均表现出色的 N 沟道 MOSFET。其低导通电阻、高效的开关能力和卓越的耐用性,使其成为电力电子系统的理想选择。特别适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。
    推荐意见:
    强烈推荐用于高频率、大电流场景的开发项目中。建议结合详细的热设计和驱动电路优化,以充分发挥其潜力。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

NID9N05ACLT4G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 660pF@30V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 41.7W
Id-连续漏极电流 18A
栅极电荷 19.8nC
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NID9N05ACLT4G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NID9N05ACLT4G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NID9N05ACLT4G NID9N05ACLT4G数据手册

NID9N05ACLT4G封装设计

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