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VBZ2301

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: 14M-VBZ2301 SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZ2301

VBZ2301概述

    P-Channel 20-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品是一款P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要特点是具备较低的导通电阻(RDS(on))和较宽的工作温度范围。该款MOSFET主要应用于负载开关(Load Switch)、功率放大器开关(PA Switch)及直流-直流转换器(DC/DC Converter)等领域。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏极-源极电压(VDS):-20V
    - 门极-源极电压(VGS):±12V
    - 瞬态门极-源极电压:±12V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流(ID):-4.5A(@ TA = 25°C)
    - 瞬态漏极电流(IDM):-18A
    - 源极-漏极二极管连续电流(IS):-4.5A(@ TA = 25°C)
    - 瞬态二极管前向电流(ISM):-20A
    - 热参数
    - 最大结温至环境温度热阻(RthJA):75-100°C/W
    - 最大结温至脚(漏极)热阻(RthJF):40-50°C/W
    - 其他参数
    - 最大功率耗散(PD):2.5W(@ TC = 25°C)
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C至150°C
    - 门极电荷(Qg):10nC(@ VDS = -10V, VGS = -4.5V, ID = -5.1A)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:不同门极电压下的RDS(on)分别为0.035Ω(@ VGS = -10V)、0.043Ω(@ VGS = -4.5V)和0.061Ω(@ VGS = -2.5V),确保了低功耗操作。
    - 高温工作能力:最大结温可达150°C,适用于高温工作环境。
    - 符合环保标准:根据IEC 61249-2-21标准定义,该产品为无卤素材料,且符合RoHS Directive 2002/95/EC要求。
    - 测试覆盖率高:100% Rg测试,确保产品质量可靠。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:可以用于控制负载电路的接通和断开。
    - PA开关:用于功率放大器电路中的切换控制。
    - DC/DC转换器:可用于控制电源的稳定输出。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热措施以避免因过热而损坏。
    - 在开关过程中,考虑门极电荷的影响,合理选择驱动电路以减少损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准SOT-23封装兼容,适合多种印刷电路板布局。
    - 支持:厂家提供全面的技术文档和技术支持,确保用户在使用过程中得到必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间使用后发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或外部风扇来提高散热效率。
    - 问题2:电路在高频开关时表现不稳定。
    - 解决方案:调整驱动信号的频率和幅度,确保门极电荷能够有效传输。
    - 问题3:产品工作电流超限。
    - 解决方案:检查电路设计并限制输入电流,避免超过产品额定值。

    总结和推荐


    总结:P-Channel 20-V MOSFET具有良好的性能指标和广泛的适用范围,尤其适用于高温工作环境。低导通电阻和高温稳定性使其在众多应用中表现出色。
    推荐:强烈推荐使用该款P-Channel MOSFET,尤其是在需要高可靠性和稳定性的应用场景中。

VBZ2301参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZ2301厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZ2301数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZ2301 VBZ2301数据手册

VBZ2301封装设计

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