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VBMB17R07

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,700V,7A,RDS(ON),800mΩ@10V,1000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: VBMB17R07 TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB17R07

VBMB17R07概述

    文章标题:VBMB17R07 N-Channel Power MOSFET 技术详解

    1. 产品简介


    VBMB17R07 是一款高性能的 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子系统中,如开关电源、电机驱动器、逆变器和通信设备。它通过优化设计实现了低导通电阻(RDS(on))、高电流处理能力和快速开关速度。其单片封装设计使其适合紧凑型电路布局。
    - 产品类型:N-通道功率 MOSFET
    - 主要功能:高效开关、电压调节、大电流控制
    - 应用领域:开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理等

    2. 技术参数


    以下是 VBMB17R07 的关键性能指标和技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 700 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | 4 | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 1.36 | - | Ω |
    | 栅极电荷 | Qg | - | 24 | 48 | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | - | 6 | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | 11 | - | nC |
    | 最大连续漏极电流 | ID | - | 7 | - | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | - | 18 | - | A |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | +150 | °C |
    此外,它具有较高的耐热性(最大结温为 150°C)和良好的动态性能,例如反向恢复时间短和快速开关能力,确保其在恶劣环境下的可靠运行。

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:Qg 仅为 24 nC,有效降低驱动功耗并简化驱动电路设计。
    - 高可靠性:经过全面测试的栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极电容,提升了抗雪崩和动态 dv/dt 的能力。
    - 环保合规:符合 RoHS 和无卤素标准,满足现代电子产品对环保的要求。
    - 快速开关:优秀的开关性能使其适合高频应用,进一步提高效率和降低成本。

    4. 应用案例和使用建议


    VBMB17R07 在许多电力电子领域表现出色,以下是一些典型应用场景及优化建议:
    - 开关电源:用于同步整流时,可以显著降低导通损耗。建议选择合适的驱动器以最大化其优势。
    - 电机驱动:适用于高效变频器,建议将栅极电阻(Rg)调整至 9.1 Ω 左右以平衡开关速度与电磁干扰。
    - DC-DC 转换器:结合其高功率密度和低导通电阻,可用于高效率的降压和升压应用。
    使用过程中,注意避免超过绝对最大额定值(如漏源电压 VDS 或结温 TJ),否则可能导致永久性损坏。同时,建议采用良好的 PCB 布局,减少寄生电感,从而提高整体系统的稳定性和效率。

    5. 兼容性和支持


    VBMB17R07 可与多种主流控制器兼容,尤其适合高压场合。制造商提供详尽的技术支持文档和快速响应的服务热线(400-655-8788),帮助用户解决复杂的设计问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程过热 | 确保散热片安装良好,降低工作温度 |
    | 驱动波形异常 | 检查驱动器输出是否匹配 MOSFET 的要求 |
    | 输出电流不足 | 检查接线是否接触良好,确认供电电压稳定 |

    7. 总结和推荐


    VBMB17R07 是一款兼具高性能与高性价比的 N-通道功率 MOSFET,尤其适合需要高速开关和高效能转换的应用场景。其优化的 RDS(on)、低栅极电荷以及快速动态特性使其成为众多领域的理想选择。
    推荐指数:★★★★★
    适合需要高性能电力电子解决方案的设计者和工程师。

    了解更多:www.VBsemi.com 或拨打 400-655-8788

VBMB17R07参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 800mΩ@10V,1000mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vds-漏源极击穿电压 700V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB17R07厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB17R07数据手册

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VBMB17R07封装设计

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