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ZXMN7A11GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,4A,RDS(ON),76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.53Vth(V) 封装:SOT223
供应商型号: 14M-ZXMN7A11GTA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA概述

    ZXMN7A11GTA-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMN7A11GTA-VB 是一款采用SOT-223封装的高电压N沟道MOSFET。这款器件专为便携式设备的负载开关应用而设计,具备无卤素环保特性。TrenchFET®技术的应用使其在开关性能方面表现优异,适合用于需要高可靠性及高效能的场合。

    技术参数


    - 电气特性
    - 栅极-源极电压(VGS):±20 V
    - 漏极-源极电压(VDS):60 V
    - 最大连续漏极电流(TJ = 150°C):25 A
    - 最大脉冲漏极电流:30 A
    - 最大耗散功率:2.5 W(TJ = 70°C)

    - 热性能
    - 最大结-壳热阻(RthJC):1.6°C/W
    - 最大结-环境热阻(RthJA):40°C/W(最大值)

    - 静态特性
    - 漏极-源极击穿电压(VDS):60 V
    - 漏极-源极导通电阻(RDS(on)):0.076Ω(VGS = 10 V, ID = 4.0 A)
    - 阈值电压(VGS(th)):1.0 V(ID = 250 µA)
    - 输入电容(Ciss):81 pF(VDS = 30 V)

    - 动态特性
    - 开启延迟时间(td(on)):15 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):25 ns
    - 反向恢复时间(trr):20 ns(IF = 4.0 A, dI/dt = 100 A/µs)

    产品特点和优势


    ZXMN7A11GTA-VB的主要优势在于其高效的开关性能和低导通电阻。这些特性使得该器件在高电流应用中表现出色,尤其是在便携式设备的负载开关应用中。此外,该器件采用无卤素材料,符合环保要求,有助于提高系统的整体可靠性和寿命。

    应用案例和使用建议


    ZXMN7A11GTA-VB适用于多种便携式设备中的负载开关应用,如手机、平板电脑、笔记本电脑等。以下是一些实际使用场景和建议:
    - 应用场景: 电源管理电路中的负载开关,电池充电电路,以及各类移动设备的DC-DC转换器。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热,避免长时间高负载运行以防止过热。
    - 考虑到其封装方式,建议使用回流焊工艺进行安装,以确保良好的连接性和可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: ZXMN7A11GTA-VB 与多种标准PCB制造流程兼容,特别是在SMT过程中表现良好。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术文档和支持,包括详细的安装指南、热管理建议以及故障排查手册。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在焊接过程中出现虚焊。
    - 解决方案: 确保使用回流焊工艺,严格按照厂商推荐的焊接条件进行操作。
    - 问题: 设备在高电流下出现温度过高。
    - 解决方案: 增加散热措施,例如添加散热片或者优化电路布局以降低功耗。

    总结和推荐


    总体而言,ZXMN7A11GTA-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,特别适用于便携式设备的负载开关应用。其低导通电阻和高电流承载能力使其在多种应用中表现出色。强烈推荐在需要高效开关性能和环保要求的应用中使用此器件。

ZXMN7A11GTA参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 4W
Rds(On)-漏源导通电阻 0.085Ω@VGS = 4.5 V,ID = 3 A(typ)
Id-连续漏极电流 4.5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 810pF
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
配置 -
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

ZXMN7A11GTA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMN7A11GTA数据手册

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ZXMN7A11GTA封装设计

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