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IRF5803TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: 14M-IRF5803TRPBF SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF5803TRPBF

IRF5803TRPBF概述

    IRF5803TRPBF-VB P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF5803TRPBF-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的P沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用先进的TrenchFET技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))和高开关速度的特点,适用于负载开关和其他需要高效能功率管理的应用场合。

    技术参数


    - 额定电压:VDS(漏极-源极电压)为30V。
    - 最大电流:连续漏极电流ID为4.8A(TA = 25°C),最大脉冲漏极电流IDM为20A。
    - 导通电阻:
    - 在VGS=-10V时,RDS(on)=0.049Ω。
    - 在VGS=-4.5V时,RDS(on)=0.054Ω。
    - 电容特性:
    - 输入电容Ciss(VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz)为450pF。
    - 输出电容Coss(VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz)为80pF。
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻RthJA为55°C/W(单脉冲测试)。
    - 工作温度范围:存储和操作温度范围为-55°C至150°C。

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on)在不同电压条件下非常低,有助于降低功耗和提高效率。
    - 高可靠性:采用TrenchFET技术,具有出色的热稳定性和长期可靠性。
    - 环保材料:符合RoHS标准和无卤素要求,适合环保要求高的应用场合。
    - 快速开关特性:低输入电容和输出电容确保了快速的开关速度,提高了电路的整体性能。

    应用案例和使用建议


    IRF5803TRPBF-VB 主要应用于负载开关,也适合用于其他需要高效率和高可靠性的功率管理应用。例如,在服务器电源供应系统中,它可以作为负载开关来控制高电流负载,如CPU和GPU。
    使用建议:
    - 确保电路设计时充分考虑散热措施,特别是在高温环境下运行时。
    - 考虑选择合适的栅极电阻以优化开关性能和减少EMI干扰。
    - 在负载开关应用中,注意电源和接地之间的良好连接,以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF5803TRPBF-VB 具有标准的5脚TSOP封装,可与大多数PCB设计兼容。
    - 支持和服务:VBsemi 提供全面的技术支持,包括产品选型指南、应用笔记和技术文档,帮助客户快速集成到设计中。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:电路出现异常发热现象。
    - 解决方案:检查电路板的散热设计是否合理,适当增加散热片或散热器以提高散热效果。
    - 问题2:MOSFET失效。
    - 解决方案:确认所有连接正确无误,检查是否有过电压或过电流情况发生,并采取相应保护措施。

    总结和推荐


    IRF5803TRPBF-VB 是一款高性能的P沟道MOSFET,特别适合于负载开关和其他需要高效率和高可靠性的应用场合。它的低导通电阻、高可靠性以及环保特性使其在市场上具备较强的竞争力。对于寻求高性能功率管理解决方案的工程师来说,IRF5803TRPBF-VB 是一个理想的选择。强烈推荐在设计中使用这款产品。

IRF5803TRPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
配置 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 3W
栅极电荷 50nC
Id-连续漏极电流 4.8A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRF5803TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF5803TRPBF数据手册

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IRF5803TRPBF封装设计

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