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VBE16R02S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,2A,RDS(ON),2300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: VBE16R02S TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE16R02S

VBE16R02S概述


    产品简介


    产品名称:N-Channel MOSFET
    产品类型:本产品是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),常用于电源管理和电机控制等领域。其高效率和快速开关特性使其广泛应用于直流到直流转换器、电池充电器和其他功率管理系统中。
    主要功能:该产品主要用于管理电力流动,它具有较高的功率处理能力和较低的导通电阻(RDS(on)),从而能够有效地减少能量损失。此外,该MOSFET具备动态dv/dt额定值,使其在高速开关条件下表现出色。
    应用领域:适用于工业控制系统、电源转换器、电机驱动、LED照明系统和新能源汽车等领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大栅源电压(VGS):±20 V
    - 漏极-源极电压(VDS):600 V
    - 连续漏极电流(ID):2.0 A (TC = 25 °C), 1.6 A (TC = 100 °C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):10 A
    - 静态阈值电压(VGS(th)):2.0 V - 4.0 V
    - 开关频率下的内部电感(LD 和 LS):分别不超过 4.5 nH 和 7.5 nH
    - 电气特性
    - 导通电阻(RDS(on)):10 V时为2.3 Ω
    - 栅极电荷(Qg):最大31 nC
    - 输入电容(Ciss):最大660 pF
    - 输出电容(Coss):最大86 pF
    - 反向传输电容(Crss):最大19 pF
    - 工作环境
    - 最大操作结温(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 最大储存温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 隔离封装:该MOSFET采用隔离封装设计,具有2.5 kVRMS的高电压隔离能力,适用于需要高电压隔离的应用。
    2. 低热阻:该产品的低热阻特性使其能在较高的工作温度下保持良好的性能,从而提高系统的可靠性。
    3. 动态dv/dt评级:该MOSFET具有优异的dv/dt额定值,能够在快速变化的电压环境下保持稳定工作。
    4. 无铅可选:产品提供无铅版本,符合环保标准,适合绿色制造需求。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:该MOSFET可以用于高压逆变器,如电动汽车中的电池管理系统,以实现高效能和低损耗的电力转换。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下工作时,确保散热良好,防止因过热导致的性能下降。
    - 在快速开关应用中,注意考虑外部电路布局以减小杂散电感,避免振铃现象。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET与标准的T0-220AB和T0-252封装兼容,便于安装和替换。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持,包括详细的规格表和技术手册,确保客户能够顺利地进行设计和部署。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定正确的栅极电阻(RG)?
    - 解决方案:选择合适的栅极电阻,可以通过调整RG来优化开关时间。例如,将RG设置为12 Ω可以在一定程度上限制开关速度。

    - 问题2:在高频开关应用中,如何降低杂散电感的影响?
    - 解决方案:优化PCB布局,缩短连接长度,增加地平面以减小杂散电感。使用短而宽的走线,并尽量靠近MOSFET放置栅极和源极引脚。

    总结和推荐


    这款N-Channel MOSFET凭借其高隔离电压、低热阻和动态dv/dt评级,在多种高压应用中表现出色。特别适合需要高效能和稳定性的场合。对于需要高可靠性且对成本有一定要求的设计项目,此款产品是一个非常不错的选择。总的来说,强烈推荐在需要高性能功率转换的应用中使用该产品。

VBE16R02S参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.3Ω@ 10V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 2A
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE16R02S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE16R02S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE16R02S VBE16R02S数据手册

VBE16R02S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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