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NVD5865NLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO-252
供应商型号: 14M-NVD5865NLT4G TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NVD5865NLT4G

NVD5865NLT4G概述

    NVD5865NLT4G-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NVD5865NLT4G-VB 是一款 N-Channel 60V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于沟槽栅极(TrenchFET®)系列。这款器件适用于需要高可靠性、低导通电阻和高耐温性的应用领域。广泛应用于电源管理、电机驱动、直流到直流转换和其他功率电子领域。

    技术参数


    以下是 NVD5865NLT4G-VB 的关键技术参数:
    - 额定电压 (VDS):60V
    - 最大连续漏极电流 (ID):25°C 下 50A,175°C 下 10A
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10V 时,ID = 20A 时为 0.010Ω;在 VGS = 4.5V 时,ID = 15A 时为 0.013Ω
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):100A
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 175°C
    - 热阻 (RthJA, RthJC):稳态下,RthJA 为 40°C/W,RthJC 为 0.85°C/W

    产品特点和优势


    - 高耐温性:能够承受高达 175°C 的结温,适合在高温环境中运行。
    - 低导通电阻:RDS(on) 在各种电压和电流条件下保持较低,特别是在高电流条件下表现优异。
    - 高可靠性:采用 TrenchFET® 技术,具有优异的开关特性和较长的使用寿命。
    - 紧凑封装:采用 TO-252 封装,体积小,便于安装和散热。

    应用案例和使用建议


    NVD5865NLT4G-VB 适用于多种应用场景,如电源管理、电机驱动和直流到直流转换等。例如,在一个电源转换器设计中,可以使用该 MOSFET 来实现高效的能量转换。建议在设计时考虑以下几点:
    - 散热设计:由于器件的工作电流较大,需要良好的散热设计以确保稳定工作。
    - 驱动电路:确保驱动电压和驱动电阻的配置合理,避免因驱动不当导致的损坏。
    - 并联使用:在大电流应用中,可以通过并联多个器件来提高整体电流承载能力。

    兼容性和支持


    NVD5865NLT4G-VB 与常见的电源管理和电机驱动系统兼容,可以直接替换市面上的其他型号。VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,用户可以在官方网站上下载最新的数据手册和技术资料。此外,VBsemi 还提供售前咨询和售后技术支持,确保用户在使用过程中无后顾之忧。

    常见问题与解决方案


    1. Q:NVD5865NLT4G-VB 的最高工作温度是多少?
    - A: 最高工作温度为 175°C,适用于高温环境下的应用。

    2. Q:如何保证 MOSFET 的可靠运行?
    - A: 确保散热良好,避免过载运行,并遵循正确的驱动电路设计。如果发现问题,应及时参考技术手册中的故障排查指南或联系技术支持。
    3. Q:在极端温度环境下,器件的性能会受到影响吗?
    - A: 该器件经过特殊设计,可以在极端温度下稳定工作。但在非常极端的情况下,可能需要额外的散热措施或防护设计。

    总结和推荐


    NVD5865NLT4G-VB 是一款高性能的 N-Channel 60V 功率 MOSFET,具备出色的导通电阻、耐高温能力和高可靠性。它非常适合用于高温和高电流环境下的应用,如电源管理和电机驱动等领域。综合来看,这款器件是值得推荐的产品,特别是在需要高效率和高可靠性的应用中。

NVD5865NLT4G参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 50A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NVD5865NLT4G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NVD5865NLT4G数据手册

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