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IPD50N04S4-10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD50N04S4-10 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD50N04S4-10

IPD50N04S4-10概述

    IPD50N04S4-10-VB 技术手册概述
    本文将对VBsemi公司生产的IPD50N04S4-10-VB MOSFET进行详细的介绍和分析,包括产品类型、技术参数、产品特点及优势、应用案例、兼容性与支持以及常见问题与解决方案。

    1. 产品简介


    产品类型:
    IPD50N04S4-10-VB 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻(RDS(on))和高开关速度的特点。这款产品适用于同步整流和电源供应等领域。
    主要功能:
    - 高效能开关
    - 低导通电阻(0.0050Ω @ 10V)
    - 良好的温度稳定性
    应用领域:
    - 同步整流
    - 电源供应

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极电压 | ±25 | V |
    | 连续漏极电流 | 85 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | 250 | A |
    | 单次脉冲雪崩能量 | 320 | mJ |
    | 稳态热阻 | 32 | °C/W |
    | 门电荷 | 80 | nC |
    | 导通延迟时间 | 20 | ns |
    | 上升时间 | 11 | ns |
    | 关断延迟时间 | 77 | ns |
    | 下降时间 | 10 | ns |

    3. 产品特点和优势


    - 高效能开关:低导通电阻(0.0050Ω @ 10V)和高开关速度,适合在高效率电源转换器中使用。
    - 耐用性:100% Rg 和 UIS 测试确保了产品的可靠性和稳定性。
    - 宽工作温度范围:工作温度范围为 -55°C 到 150°C,适应各种恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在服务器电源系统中用于同步整流,提高转换效率。
    - 在电池充电器中用于高效的直流-直流转换。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需注意散热设计以避免过热问题。
    - 在选择外部元器件时,确保其与IPD50N04S4-10-VB的接口兼容。

    5. 兼容性和支持


    IPD50N04S4-10-VB 与其他标准 N 沟道 MOSFET 相比具有良好的兼容性。制造商提供了详尽的技术支持文档和客户服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 增加散热措施,如使用散热片。 |
    | 导通电阻增大 | 检查电路是否受到干扰,重新焊接。|

    7. 总结和推荐


    总结:
    IPD50N04S4-10-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,以其低导通电阻和高开关速度在电力电子领域具有显著的优势。其广泛的应用范围和可靠的性能使其成为现代电源管理系统的理想选择。
    推荐:
    鉴于IPD50N04S4-10-VB 的优良性能和广泛应用,我们强烈推荐其在高效率电源管理和同步整流应用中使用。

IPD50N04S4-10参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.075Ω@VGS = 4.5 V,ID = 20 A
Id-连续漏极电流 85A
最大功率耗散 312W
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD50N04S4-10厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD50N04S4-10数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD50N04S4-10 IPD50N04S4-10数据手册

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