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K3569

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 650V 12A 680mΩ@10V TO-220F
供应商型号: 14M-K3569 TO-220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3569

K3569概述

    K3569-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K3569-VB 是一款由台湾VBsemi电子有限公司生产的N沟道650V功率MOSFET。它主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明系统(如高强气体放电灯和荧光灯镇流器)。此外,它还广泛应用于工业领域。这种MOSFET以其卓越的性能和可靠性而闻名,适用于多种高压应用。

    2. 技术参数


    K3569-VB 的技术参数如下:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 650 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 3 | - | 5 | V |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | - | - | ± 100 | nA |
    | 击穿电压 | BVDSS | 650 | - | - | V |
    | 饱和导通电阻 | RDS(on) | - | - | Ω |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | pF |
    | 有效输出电容 (能量相关) | Co(er) | - | 63 | - | nF |
    | 有效输出电容 (时间相关) | Co(tr) | - | 213 | - | nF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 43 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 5 | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 22 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 低优值系数:K3569-VB 的 Ron x Qg 值低,可以显著降低导通和开关损耗。
    - 低输入电容:Ciss 低,减少了栅极驱动损耗。
    - 超低栅极电荷:Qg 值低,进一步降低了开关损耗。
    - 反向恢复时间短:trr 短,提高了工作效率。
    - 重复脉冲能量等级:EAS 等级高,增加了可靠性。
    这些特性使得 K3569-VB 在高压应用中表现出色,适用于需要高效率和可靠性的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:在这种应用中,K3569-VB 可以减少电源转换过程中的能耗,提高系统整体效率。
    - 开关模式电源 (SMPS):利用其低导通电阻和快速开关特性,可以在高频运行下保持高效率。
    - 照明系统:例如,高强气体放电灯和荧光灯镇流器,可以减少能量损失并提高照明效果。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保散热片正确安装,避免过热导致失效。
    - 选择合适的驱动电路,以最大限度地减少栅极驱动损耗。
    - 考虑到不同温度下的变化,特别是在高温环境下,可能需要适当调整驱动电压。

    5. 兼容性和支持


    K3569-VB 具有广泛的兼容性,可以轻松集成到现有的电源系统中。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括技术咨询和技术培训,确保客户能够充分利用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 导通电阻过高
    - 解决方法: 检查是否栅极电压不足,确保驱动电压达到额定值。

    - 问题2: 开关速度慢
    - 解决方法: 使用更低的栅极电阻,优化驱动电路,减少栅极电容的影响。
    - 问题3: 散热不良
    - 解决方法: 确保散热片接触良好,使用合适尺寸的散热器。

    7. 总结和推荐


    K3569-VB N-Channel 650V Power MOSFET 是一款高性能的产品,具备出色的电气特性和可靠性。在服务器电源、通信电源、工业控制等领域有着广泛的应用前景。其独特的低损耗和高效率特性使其成为市场上的有力竞争者。对于需要高压、高效、高可靠的场合,强烈推荐使用 K3569-VB。
    如有任何疑问或需要技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

K3569参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 12A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3569厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3569数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3569 K3569数据手册

K3569封装设计

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