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IPD30N03S2L-10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO-252
供应商型号: 14M-IPD30N03S2L-10 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD30N03S2L-10

IPD30N03S2L-10概述

    IPD30N03S2L-10-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IPD30N03S2L-10-VB 是一款由VBsemi推出的高性能N沟道30V(漏源)功率MOSFET。这款器件采用了先进的TrenchFET®工艺,具有低导通电阻和高电流处理能力。它广泛应用于电源管理、服务器系统、直流转换电路(DC/DC)等领域。

    2. 技术参数


    以下是IPD30N03S2L-10-VB的技术参数汇总:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 30 | V |
    | 门源电压 | VGS | ± 20 | - | - | V |
    | 持续漏极电流 (TJ = 175 °C) | ID | 25.8b,c | 25 | 60 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 250 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | - | - | 9 | A |
    | 雪崩能量 | EAS | - | - | 94.8 | mJ |
    | 源漏二极管电流 | IS | - | - | 90 | A |
    | 最大功率耗散 | PD | - | 205 | - | W |
    | 热阻 | RthJA | 32 | - | 40 | °C/W |
    | 热阻 | RthJC | 0.5 | - | 0.6 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    IPD30N03S2L-10-VB的主要特点包括:
    - 低导通电阻:RDS(on)典型值为0.005Ω(在VGS=10V时),保证了低功耗和高效能。
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试通过,确保了长时间使用的稳定性和可靠性。
    - 环保合规:符合RoHS指令2011/65/EU标准,无铅、无卤化物。
    这些特点使其在电力管理和高性能应用中表现出色,是市场上的强有力竞争者。

    4. 应用案例和使用建议


    IPD30N03S2L-10-VB可应用于多种场景,如OR-ing(用于隔离和保护电路)、服务器系统、直流转换器等。
    使用建议:
    - 在选择散热片时,需考虑热阻参数RthJA和RthJC,确保良好的散热效果。
    - 由于其高脉冲漏极电流能力,适合需要短时间大电流的应用场合。

    5. 兼容性和支持


    IPD30N03S2L-10-VB与常见的DPAK封装兼容,便于在多种电路板上使用。此外,VBsemi提供全面的技术支持,包括在线文档和客服热线,帮助客户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 问题:在高电流条件下发热严重
    - 解决方案:增加外部散热片以改善散热条件,或者使用更高效的散热设计。
    2. 问题:开启延迟时间较长
    - 解决方案:调整栅极电阻Rg以优化开启延迟时间,具体参考数据手册中相关参数。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IPD30N03S2L-10-VB是一款出色的N沟道30V MOSFET,具备低导通电阻、高可靠性等特点,非常适合于各类电力管理应用。其卓越的性能和可靠的设计使其成为众多应用场合的理想选择。强烈推荐此款产品。
    如有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

IPD30N03S2L-10参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 80A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@ 10V
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD30N03S2L-10厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD30N03S2L-10数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD30N03S2L-10 IPD30N03S2L-10数据手册

IPD30N03S2L-10封装设计

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