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ZVP3306FTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-0.5A,RDS(ON),3000mΩ@10V,3680mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.87Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-ZVP3306FTA SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZVP3306FTA

ZVP3306FTA概述

    ZVP3306FTA-VB P-Channel 60V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ZVP3306FTA-VB 是一款 P 沟道 60V(D-S)MOSFET,由台湾 VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产。这款 MOSFET 采用先进的 TrenchFET® 技术制造,适用于高边开关应用。它的主要功能包括低导通电阻、快速开关速度和低输入电容。这些特性使其在电源管理和电池充电等领域具有广泛的应用前景。

    2. 技术参数


    以下是 ZVP3306FTA-VB 的主要技术参数:
    - 额定电压:VDS = -60 V
    - 最大连续漏极电流:ID = -500 mA @ TA = 25°C,ID = -350 mA @ TA = 100°C
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = -1500 mA @ TA = 25°C
    - 导通电阻:RDS(on) = 3 Ω @ VGS = -10 V, ID = -100 mA
    - 阈值电压:VGS(th) = -1 V ~ -3 V @ VDS = VGS, ID = -250 µA
    - 零门电压漏极电流:IDSS = -25 mA @ VDS = -60 V, VGS = 0 V
    - 输入电容:CISS = 23 pF @ VDS = -25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
    - 输出电容:COSS = 10 pF
    - 反向传输电容:CRSS = 5 pF
    - 上升时间:td(on) = 20 ns @ VDD = -25 V, RL = 150 Ω, ID ≈ -200 mA
    - 下降时间:td(off) = 35 ns

    3. 产品特点和优势


    ZVP3306FTA-VB 的主要特点和优势如下:
    - 低导通电阻:RDS(on) = 3 Ω @ VGS = -10 V, ID = -100 mA,保证了较低的功耗和高效能。
    - 高开关速度:典型的开关时间为 20 ns,确保快速响应和高效率。
    - 低输入电容:Ciss = 23 pF,减少了驱动电路的复杂度和成本。
    - 兼容环保标准:符合 RoHS 指令 2002/95/EC 和 IEC 61249-2-21 标准,无卤素设计,满足环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    ZVP3306FTA-VB 可应用于多种场景,如高边开关、电源管理、电池充电和 LED 驱动。以下是一些使用建议:
    - 高边开关:由于其低导通电阻和高开关速度,适合用于高边开关电路,减少功率损耗并提高系统效率。
    - 电源管理:可用于电源转换和稳压电路,确保电源系统的稳定运行。
    - LED 驱动:适合用于 LED 照明系统中的驱动电路,提供高效的电流控制能力。

    5. 兼容性和支持


    ZVP3306FTA-VB 采用 TO-236 (SOT-23) 封装,适用于表面安装。厂商提供了详细的推荐焊盘尺寸(见下图),确保可靠的焊接连接。此外,VBsemi 还提供了良好的客户服务和支持热线,帮助用户解决使用过程中的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    根据技术手册中的常见问题和解决方案,以下是一些可能遇到的问题及解决办法:
    - 问题:漏极电流不稳定
    - 解决办法:检查 VDS 和 VGS 设置是否正确,并确保电路连接稳固。

    - 问题:热稳定性差
    - 解决办法:使用合适的散热片和 PCB 设计,确保 MOSFET 在安全温度范围内工作。

    - 问题:开关时间过长
    - 解决办法:调整栅极电阻 Rg,确保在所需的开关时间范围内。

    7. 总结和推荐


    ZVP3306FTA-VB 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具备低导通电阻、快速开关速度和低输入电容等显著优势。它适用于高边开关、电源管理和 LED 驱动等多种应用场景。虽然有一定的脉冲电流限制,但其卓越的性能和环保设计使其在市场上具有很强的竞争力。因此,我强烈推荐使用 ZVP3306FTA-VB,尤其对于追求高效能和环保要求的应用场景。

ZVP3306FTA参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3Ω@ -10V
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 500mA
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZVP3306FTA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZVP3306FTA数据手册

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ZVP3306FTA封装设计

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