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N3PF06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-6.5A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT-223
供应商型号: 14M-N3PF06 SOT-223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) N3PF06

N3PF06概述

    # N3PF06-VB P-Channel 60-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    N3PF06-VB 是一款由 VBsemi 生产的 P 沟道 60V(漏-源)功率 MOSFET。其采用了 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术,适用于负载开关等应用场合。
    主要功能
    - 漏极-源极耐压(VDS)为 60V
    - 适用于高温环境,最高工作温度可达 150°C
    - 具备短时过载保护能力
    应用领域
    - 负载开关
    - 电源管理
    - 电机驱动

    技术参数


    极限参数
    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏-源电压 | VDS | -60 | V |
    | 栅-源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏电流 | ID | 70 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IA | 4 | A |
    | 雪崩能量 | EAS | 10.1 | mJ |
    规格参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏-源击穿电压 | VDS | VGS = 0 V, ID = -250 µA | -60 V |
    | 栅-源阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = -250 µA | -1.0 | -2.5 V |
    | 栅-源漏电流 | IGSS | VDS = 0 V, VGS = ±20 V | ±100 nA |
    | 开态漏电流 | ID(on) | VDS = -5 V, VGS = -10 V | -25 A |
    | 开态漏源电阻 | RDS(on) | VGS = -10 V, ID = -3 A | 0.0 | 0.0 | 0.0 | Ω |
    | 转导电容 | Ciss | VDS = -25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | 1500 pF |

    产品特点和优势


    N3PF06-VB 的主要优势如下:
    - TrenchFET® 技术:具有较高的导通效率,降低了功耗。
    - 100% UIS 测试:确保每个产品都经过可靠性测试。
    - 高耐压能力:能够承受高达 60V 的漏-源电压,适合高压应用。
    - 低导通电阻:在典型操作条件下,RDS(on) 仅为 0.0Ω(VGS = -10V),确保较低的损耗。
    - 高温适用性:能够在 150°C 下正常工作,适应严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    N3PF06-VB 主要应用于负载开关及电源管理系统中,如电动车充电站、电源适配器等。
    使用建议
    - 在使用过程中,建议在额定电压范围内使用,避免过高的电压导致损坏。
    - 在设计电路时,确保栅极电压不超过绝对最大值(±20V),以避免栅极氧化层损伤。
    - 高温环境下使用时,需考虑散热措施,以保证长期稳定运行。

    兼容性和支持


    兼容性
    N3PF06-VB 采用 SOT-223 封装,具有良好的机械强度和易焊接性,与多种电路板兼容。
    支持
    - 服务热线:400-655-8788
    - 技术支持:提供详细的规格书和技术文档,确保用户能够充分利用产品功能。

    常见问题与解决方案


    问题1:漏-源电压过高导致损坏
    解决方案:检查电路设计,确保实际工作电压不超过规定值,同时增加过压保护电路。
    问题2:过热导致失效
    解决方案:采取有效的散热措施,如加装散热片或使用散热胶水,提高散热效率。
    问题3:噪声干扰严重
    解决方案:使用低噪声电容进行滤波处理,确保电路信号稳定性。

    总结和推荐


    综合评估
    N3PF06-VB 在多个方面表现优异,具备高性能和稳定性,适用于多种高压应用场景。其独特的 TrenchFET® 技术使其在市场上具备较强的竞争力。
    推荐意见
    对于需要高性能、高可靠性的负载开关及电源管理系统的应用场合,强烈推荐使用 N3PF06-VB。其广泛的适用性和良好的兼容性使其成为众多工程师的理想选择。

N3PF06参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

N3PF06厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

N3PF06数据手册

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